Москвенок.ру как зарегистрироваться

Как получить карту «Москвенок»?

Чтобы получить карту «Москвенок» необходимо заполнить специальное заявление (их раздает или рассылает классный руководитель). Заявление включает в себя согласие на хранение и обработку персональных данных.

После этого родителям надо передать заполненное заявление классному руководителю и получить карту на руки (также выдается в школе классным руководителем). А потом настроить систему оповещений, которые будут приходить:

А) в личный кабинет на официальном портале мэра и правительства Москвы (mos.ru)

Б) в мобильном приложении «Госуслуги Москвы»

В) в виде сообщений на электронную почту

Г) в виде push-уведомлений на экране мобильного устройства

Карта «Москвенок», для чего нужна

— Входить/выходить из образовательного учреждения

— Платить за питание в школьной столовой

— Покупать еду в школьном буфете

Благодаря карте «Москвенок родители могут:

— получать уведомления о перемещениях ребенка и о посещении столовой

— быстро и просто пополнять лицевой счет ребенка для оплаты покупок в столовой и буфете, а также ограничивать лимит дневных трат

— настраивать меню ребенка и формировать заказ на горячее питание

— Следить за балансом лицевого счета

Москвенок карта, пополнить счет

Узнать номер лицевого счета можно на портале mos. ru, в мобильном приложении «Госуслуги Москвы», из сообщений, приходящих на почту, указанную в заявлении, и в школе.

Пополнить счет можно любым из перечисленных ниже способов:

a)На официальном портале Мэра и Правительства Москвы (mos.ru)

b)Через мобильное приложение «Госуслуги Москвы»

c)В платежных терминалах или мобильном приложении ВТБ Банк Москвы

d)Платежных терминалах МКБ

e)Платежных терминалах или мобильном приложении QIWI

f)Платежных терминалах или мобильном приложении Сбербанк

Как восстановить карту «Москвенок» в случае утери?

Для восстановления карты надо обратиться в общеобразовательное учреждение, выдавшее карту. Номер лицевого счета останется прежним, и все средства на нем сохранятся. Новая карта автоматически привяжется к текущему лицевому счету.

Если позднее вы найдете потерянную карту, ее необходимо вернуть в образовательное учреждение.

Как правильно пользоваться сервисом «Москвенок»?

С нового учебного года родители могут подключить систему «Москвенок» через портал mos. ru. Технология позволяет контролировать питание детей в детском саду, в школе или колледже. Специалисты рекомендуют в качестве правильного питания для школьника, обеспечивающего ему полноценный рацион, использовать натуральные продукты, избегая фастфуда, газировок, чипсов и прочих перекусов.

Бутерброд с маслом или сыром. Лучше использовать хлеб с отрубями, зерновой или ржаной.

Йогурт. Лучше выбирать кисломолочный продукт с уменьшенным показателем жирности.

Рогалики, пирожки, булочки. Помогут зарядить энергией вашего ребенка на многие часы.

Сырники, запеканки. Сочетают в себе пользу кисломолочного продукта и выпечки. Ягоды или джем дополнят блюдо.

Овощи и фрукты. Обязательны для употребления ежедневно, поскольку обеспечиваю необходимые витамины

Овощной салат. Может быть заправлен сметаной, маслом, лимонным соком. Пополнит запас микроэлементов.

Первое блюдо. Для здорового питания оптимальны легкие супы — куриные, овощные.

Исключаем копчености.

Второе блюдо. Полноценное высококалорийное мясное или рыбное горячее блюдо с гарниром из овощей.

Соки, фрукты. Хорошо дополнят полноценный обед, утолят жажду и увеличат витаминный запас.

Компот. Напиток из сухофруктов содержит не меньше витаминов и минералов, чем сок

Источник: http://vm.ru

Москвенок.ру

Электронными браслетами «Москвенок» пользуются почти 38 тысяч школьников столицы. Именно такое количество устройств было выдано и приобретено в индивидуальном порядке с сентября прошлого года. И карты с аналогичным названием, и браслеты применяются в образовательных учреждениях, где внедрена система «Проход и питание».

Многофункциональные устройства позволяют покупать еду в столовой и буфете, а также входить в здание школы и покидать его. Нужно лишь приложить браслет к турникету. Изготовители предлагают на выбор браслеты 11 цветов Официальный портал мэра и правительства Москвы. Браслеты можно как получить в школе, так и приобрести самостоятельно. В частности, за год было куплено 18,8 тысячи устройств. Заказы принимает учреждение ТемоЦентр, подведомственное столичному департаменту образования.

Изготовители предлагают на выбор браслеты 11 цветов. В частности, зеленого, красного, синего, фиолетового, желтого, оранжевого, розового, желтого, голубого, светло-серого и темно-серого. У школьников наиболее востребованы гаджеты зеленого, синего и красного цветов, сообщает официальный портал мэра и правительства Москвы.

Источник: 

Браслет Москвёнок

ВНИМАНИЕ

Уважаемые покупатели!

Розничная точка продаж прекратила свою работу с 1 октября 2019 года.

ОСТЕРЕГАЙТЕСЬ ПОДДЕЛОК

Отличительными чертами браслетов «Москвёнок», производимых ГАОУ ДПО «ТемоЦентр» являются оттиски на поверхности изделия, а именно:

• 
  Логотип ГАОУ ДПО «ТемоЦентр»
• 
  Логотип «Москвёнок»
• 
  Надпись: «МОСКВЁНОК»
• 
  Надпись: «МЭШ»

Эти изображения вдавлены на лицевой стороне изделия. На оборотной стороне изделия, а именно на RFID метке, нанесен уникальный номер, который находится под слоем прозрачного силикона. Возле застежки на оборотной стороне находится надпись: «СДЕЛАНО В РОССИИ»

Претензии к браслетам, произведенным другими Поставщиками ГАОУ ДПО «ТемоЦентр» не принимает.

Браслет — полноценный аналог электронной карты школьника. Благодаря новому гаджету учащиеся могут, как и с помощью карты, пользоваться различными услугами на территории учебного заведения: проходить в школу и оплачивать питание, не прибегая к использованию наличных денег.

С сентября 2016 года у любого образовательного учреждения, где внедрена система «Проход и питание», появилась возможность заменить электронные карты учеников на силиконовые браслеты «Москвёнок». С их помощью дети могут проходить в здание и покупать еду в столовой и буфете.

Браслет сделан из гипоаллергенного силикона с алюминиевой застёжкой.

Браслеты представлены в 11 разных цветах, длина браслета – 21 см. На них изображён маленький совёнок — символ электронной карты школьника. Кроме этого, каждая образовательная организация может брендировать браслет своим логотипом.

1. голубой

2. фиолетовый

3. темно-серый

4. синий

5. светло-серый

6. салатовый

7. розовый

8. оранжевый

9. красный

10. зеленый

11. желтый

Для образовательных организаций:

Оферта опубликована на портале поставщиков:

http://zakupki.mos.ru (ЕАИСТ 2.0) № 3783004-19

Логотип школы наносится только на браслеты, заказанные образовательной организацией.

Уважаемые родители!

Приобрести браслеты «Москвёнок» можно через розничную точку продаж, находящуюся на территории ГАОУ ДПО «ТемоЦентр» по адресу: г. Москва, 1-й Зборовский пер., д.3.

Часы работы:

Пн.-Чт.: 9-30 – 18-30

Пт.: 9-30 – 17-15

Обед: 13-00 – 13-45

Контактные данные:

e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Схема проезда

Обращаем внимание, что ГАОУ ДПО «ТемоЦентр» получил заключение о целесообразности ввода в эксплуатацию браслета «Москвёнок» в качестве электронного идентификатора подсистемы предоставления услуг в сфере образования с использованием электронных карт КИС ГУСОЭВ.

Гарантийные обязательства и условия возврата товара

Гарантийные обязательства:

30 дней. Гарантийные обязательства не распространяются на механические повреждения, связанные с излишним растяжением изделия и/или механической деформацией RFID метки.

Условия возврата товара:

Обмен и возврат товара в течение 14 дней при условии, что товар не был в употреблении и имеются доказательства приобретения его у данного продавца.

Видеоинструкция по регистрации браслета «Москвёнок» в информационной системе «Проход и питание по электронной карте»

СМИ о нас:

14.11.2017. Браслетами «Москвенок» пользуются почти 38 тысяч столичных школьников

14.11.2017. Около 38 тысяч столичных школьников получили многофункциональные браслеты «Москвенок»

14.09.2016г. Электронные браслеты для прохода в школу выдали почти 10 тысячам школьников

26.08.2016г. Электронные браслеты «Москвёнок» заменят карточки для входа в школу

26.08.2016г. Электронные браслеты «Москвёнок» заменят карточки для входа в школу

25. 08.2016г. Зачем нужен электронный браслет для школьника «Москвёнок»?

25.08.2016г. На московских школьников наденут электронные браслеты

25.08.2016г. Для московских школьников разработали электронные браслеты

25.08.2016г. Для столичных школьников разработали браслеты «Москвенок»

25.08.2016г. Для московских школьников разработали электронные браслеты «Москвенок»

25.08.2016г. Для московских школьников разработали электронные браслеты «Москвенок»

25.08.2016г. Электронные карты школьников могут заменить браслетами

25.08.2016г. Браслеты «Москвенок» заменят электронные карты школьников

25.08.2016г. Для столичных школьников разработали электронные браслеты «Москвенок»

О браслетах москвенок

        Представляем вашему вниманию Обновленные модели Браслетов Москвенок для прохода в школу и оплату питания от официального сертифицированного производителя.

После покупки браслет необходимо передать в школу классному руководителю либо ответственному за проход и питание.  

Браслет активируют, закрепив его за школой и привяжут к личному кабинету вашего ребенка. На браслете не хранятся никакие персональные данные он является лишь ключом к личному кабинету.

С помощью браслета Москвенок можно проходить учебные заведения и оплачивать питание в школьной столовой. Родители получают оповещение о времени прихода и ухода ребенка из школы и информацию о расходах в школьной столовой.

Родитель имеет возможность установить лимит на ежедневные траты ребенка в школьном буфете и установить запреты на покупку отдельных видов товаров. Можно настроить горячее питание по индивидуальному графику, все это можно сделать в личном кабинете на сайте мэра Москвы.

По браслету Москвенок дети могут проходить в музеи.

Покупайте браслеты у официальных производителей, полный список производителей представлены на сайте ДИТ.

Каждый браслет имеет свой уникальный номер, который закрепляется за школой. В случае потери браслета, нашедший его не сможет присвоить себе т. к. при попытке подключить браслет система покажет какому ученику он принадлежит. Либо выдаст оповещение за какой школой данный браслет закреплен.

Браслеты выполнены из мягкого и безопасного силикона, о чем имеются соответствующие сертификаты, изначально браслеты разрабатывались для аквапарков и имеют полную защиту от воды, а конструкция застежки исключает случайное расстегивание.

Важный момент: Браслеты не имеют источника питания и не излучают никаких радио волн, лишь в момент прохода через турникет на браслет подается напряжение от считывателя по принципу беспроводной зарядки для телефонов. Браслет Москвенок полностью безопасен!

Опыт прошлых моделей показал, что у браслетов есть ряд недостатков. Анализируя отзывы родителей и пожелания сотрудников школ были выявлены такие слабые места как размер браслета, который либо слишком мал, либо слишком велик, что сваливается с ручки первоклашек. Чип, который легко изгибается и выходит из строя и застежка, которая разрывалась в самом тонком месте. Детям не всегда можно объяснить, что такое бережная эксплуатация ведь для малышей это в первую очередь игрушка которую так и хочется изгибать и растягивать.

Все эти проблемы мы учли и устранили. Разные модели браслетов имеют разные регулировки диаметра запястья. Петелька браслета, которая являлась самым слабым местом в обновленных моделях усилена. Новый чип, который был специально разработан для эксплуатации в тяжелых условиях теперь надежно защищен и выдерживает большие механические нагрузки. Благодаря новому чипу мы смело даем гарантию 1 год на его работоспособность даже в условиях использования детьми!

Браслет отлично выдерживает перепады температурных режимов, силикон остается эластичным зимой и летом, а чип работает стабильно.

Испытания показали, что в зависимости от оборудования, установленного в учебных заведениях браслет Москвенок может начать срабатывать уже на расстоянии 1,5-2 сантиметра от считывателя что позволяет использовать в этих школах браслеты через рукав куртки.

Заказать браслет Москвенок с доставкой вы можете на нашем сайте в разделе каталог либо у наших официальных представителей.

Самостоятельно вы можете приобрести браслеты в розничных точках подробнее в разделе Самовывоз.

Покупая браслет, вы получаете сервис и полную техническую поддержку на всех этапах от покупки до регистрации браслета в школе и гарантию 1 год на стабильную работу браслета в школьной системе. Если наступает гарантийный случай, браслет заменяем абсолютно бесплатно. Подробнее можно узнать в разделе Гарантия.

Перейти в каталог КУПИТЬ БРАСЛЕТ МОСКВЕНОК

ответы на наиболее часто задаваемые вопросы?

Что такое сервис Москвенок?

Сервис Москвенок — это сервис города Москвы для детей, посещающих школу или детский сад, и их родителей.

Родителям сервис Москвенок поможет:

• оформить заказ на горячее питание для ребенка,

• проверить, когда он в школе или детском саду, и

• контролировать его траты в столовой и буфете.

Дети могут использовать карту Москвенок:

• как пропуск в школу или детский сад и

• оплачивать ею горячие завтраки, обеды и покупки в буфете.

Помимо карты Москвенок вместо наличных денег и пропуска в образовательное учреждение сервис Москвенок позволяет:

• использовать, социальную карту учащегося или москвича,

• браслеты, брелоки и другие электронные носители Москвенок.

Подробнее о них вы можете узнать в своей школе, колледже или детском саду.

Что такое лицевой счет учащегося в сервисе Москвенок?

Лицевой счет учащегося в сервисе Москвенок — это индивидуальный идентификатор учащегося, который присваивается один раз при регистрации в системе «Проход и питание» сервиса Москвенок.

На лицевом счете учащегося в сервисе Москвенок учитываются:

• средства для оплаты за питание в школе или колледже;

• средства на лицевом счете учащегося учитываются в виде условных единиц, поэтому карта Москвенок не имеет банковского приложения;

• если карта Москвенок была потеряна или заменена, лицевой счет ребенка не поменяется, средства на нем сохранятся, а карту Москвенок не придется блокировать.

Как узнать номер лицевого счета учащегося в сервисе Москвенок?

Узнать номер лицевого счета учащегося можно:

• у классного руководителя или работника, отвечающего в вашей школе, колледже, детском саду за информационную систему «Проход и питание»;

• приложив карту Москвенок или другой носитель сервиса Москвенок к считывателю экрана инфокиоска в вашей школе или колледже.

Узнать номер лицевого счета учащегося можно также:

• если вы подключили услугу информирования на странице «Посещение и питание» портала mos.ru;

• в разделе «Мой ребенок в школе» мобильного приложения «Госуслуги Москвы»;

• из информационных уведомлений, приходящих на вашу электронную почту.

Как подключить услугу информирования о посещении и питании ребенка в школе сервиса Москвенок?

Для того, чтобы подключить услугу информирования о посещении и питании в школе сервиса Москвенок:

• возьмите заявление у классного руководителя или работника, отвечающего в вашей школе или детском саду за систему «Проход и питание», или скачайте его с сайта Москвенок mos. ru;

• заполните заявление и укажите ваш номер мобильного телефона, который будет привязан к лицевому счету ребенка;

• если вы хотите проверять посещение и питание ребенка с помощью портала mos.ru, укажите в личном кабинете в разделе «Мои данные» тот же номер мобильного телефона, что и в заявлении на подключение услуги информирования о проходе и питании ребенка в школе сервиса Москвенок.

После того, как заявление на подключение услуги информирования «Проход и питание» сервиса Москвенок обработают и номер телефона привяжут к лицевому счету, вы сможете настроить уведомления через push и e-mail.

Как настроить уведомления о посещении и питании ребенка в школе в сервисе Москвенок?

Прежде чем настраивать уведомления о посещении и питании ребенка в школе в сервисе Москвенок, убедитесь, что вы подключили услугу информирования о посещении и питании ребенка в школе:

Как пополнить лицевой счет учащегося в сервисе Москвенок?

Лицевой счет учащегося в сервисе Москвенок можно пополнять наличными и банковской картой.

Если вы подключили услугу информирования о посещении и питании ребенка в школе, это можно сделать:

• на портале mos.ru. Для этого перейдите в раздел «Услуги» → «Образование» → «Среднее общее», далее — «Пополнение лицевого счета карты прохода и питания ребенка».

Если вы не подключили услугу информирования о посещении и питании ребенка в школе:

• с помощью платежных терминалов Сбербанка, Московского кредитного банка и QIWI;

• через Сбербанк онлайн или QIWI-кошелек;

• в мобильных приложениях Банка Москвы, QIWI, Сбербанка, «Госуслуги Москвы».

Как ограничить покупки ребенка в школе с помощью карты Москвенок?

Установите лимит ежедневных трат — сумма, которую ребенок сможет потратить в буфете в течение дня, без учета оплаты комплексных обедов:

• на странице «Посещение и питание» портала mos. ru в разделе «Параметры» выберите «Лицевой счет ребенка», далее — «Лимит дневных трат на буфетную продукцию».

  Чтобы лимит начал действовать, замените ноль на другую сумму;

• чтобы указать, какую продукцию ваш ребенок сможет оплатить картой Москвенок в буфете, перейдите на страницу «Посещение и питание» портала mos.ru в раздел «Питание» → «Меню буфета»;

• в разделе «Мой ребенок в школе» мобильного приложения «Госуслуги Москвы» выберите из списка ребенка, далее нажмите на значок «Настройки» в правом верхнем углу экрана, выберите «Лимит дневной траты» и укажите лимит.

Что делать, если ребенок потерял карту Москвенок?

Если вы или ваш ребенок потеряли электронную карту Москвенок или другой носитель сервиса Москвенок, обратитесь за новой бесплатной картой Москвенок к работнику, отвечающему в вашей школе, колледже или детском саду за информационную систему «Проход и питание».

Номер лицевого счета останется прежним, и все средства на нем сохранятся. Новая карта автоматически привяжется к текущему лицевому счету ребенка. Если позднее вы найдете потерянную карту Москвенок, просто верните ее в свою школу, колледж или детский сад. 

Если у вас имеются какие-либо вопросы по нарушению Ваших прав, либо вы попали в затруднительную жизненную ситуацию, то дежурный юрист онлайн готов бесплатно проконсультировать вас по данному вопросу.

ПРАВО НА НАЧАЛЬНОЕ, ОСНОВНОЕ И СРЕДНЕЕ ОБЩЕЕ ОБРАЗОВАНИЕ

В системе «Москвенок» появилась возможность удаленного подключения пользователей

СОГЛАШЕНИЕ О ПРЕДОСТАВЛЕНИИ И ИСПОЛЬЗОВАНИИ ПЕРСОНАЛЬНЫХ ДАННЫХ

Настоящее соглашение регламентирует отношения между АО «Аналитический центр» и физическим лицом (Пользователь) и вступает в силу с момента принятия Пользователем условий настоящего соглашения. При несогласии Пользователя с хотя бы одним из пунктов соглашения, Пользователь не имеет права дальнейшей регистрации. Продолжение процедуры регистрации говорит о полном и безоговорочном согласии с настоящим соглашением.

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

Регистрация — процедура, в ходе которой Пользователь предоставляет достоверные данные о себе по утвержденной форме регистрации (регистрационная карта). Прохождение процедуры регистрации говорит о том, что Стороны полно и безоговорочно согласились с условиями настоящего соглашения.

Персональные данные Пользователя — данные, используемые для идентификации личности, добровольно указанные Пользователем при прохождении регистрации. Данные хранятся в базе данных на сервере АО «Аналитический центр» и подлежат использованию исключительно в соответствии с настоящим соглашением и законодательством РФ.

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЕРСОНАЛЬНЫХ ДАННЫХ

Мы используем персональные данные Пользователя только для тех целей, которые указываются при их сборе. Мы не используем персональные данные для других целей без согласия Пользователя. Мы можем использовать персональные данные Пользователя для следующих целей:

• Для организации выдачи Пользователю электронной цифровой подписи в рамках сети Аккредитованных при Некоммерческой организации «Ассоциация Электронных Торговых Площадок» Удостоверяющих центров, а также ее обслуживания и оказания сопутствующих услуг;
• Для обратной связи с Пользователем в целях предоставления услуги или информации, в том числе посредством рассылки рекламных, информационных и (или) иных материалов АО «Аналитический Центр» на указанную электронную почту. Отказаться от рассылки рекламных, информационных и (или) иных материалов АО «Аналитический Центр» можно нажав на соответствующую кнопку в нижнем колонтитуле любого письма в рамках такой рассылки;
• Для ответов на запросы Пользователя в службу поддержки;
• Для выполнения обязательств по договорам.

Для использования персональных данных для любой иной цели мы запрашиваем подтверждение Пользователя. Пользователь соглашается, что АО «Аналитический центр» оставляет за собой право использовать его персональные данные анонимно и в обобщенном виде для статистических целей.

ОБЯЗАТЕЛЬСТВА ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ПО РЕГИСТРАЦИИ

Пользователь соглашается предоставить правдивую, точную и полную информацию о себе по вопросам, предлагаемым в регистрационной карте. Если Пользователь предоставляет неверную информацию, АО «Аналитический центр» имеет право приостановить либо отменить регистрацию.

ПРЕДОСТАВЛЕНИЕ ПЕРСОНАЛЬНЫХ ДАННЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ТРЕТЬИМ ЛИЦАМ

АО «Аналитический центр» не передает персональные данные третьим лицам для маркетинговых целей без разрешения Пользователя.

АО «Аналитический центр» может передавать персональные данные Пользователя компаниям, аффилированным по отношению к АО «Аналитический центр», для обработки и хранения. Пользователь соглашается с тем, что АО «Аналитический центр» передает персональные данные Пользователя уполномоченным организациям для создания и выдачи электронной подписи, выполнения требуемых услуг и операций.

АО «Аналитический центр» предоставляем третьим лицам объем персональных данных, необходимый для оказания требуемой услуги или транзакции. При необходимости АО «Аналитический центр» можем использовать персональные данные Пользователя для ответа на претензии, исковые заявления.

АО «Аналитический центр» можем собирать и, при необходимости, передавать уполномоченным органам имеющуюся в нашем распоряжении информацию для расследования, предотвращения и пресечения любых незаконных действий. АО «Аналитический центр» вправе раскрывать любые персональные данные по запросам правоохранительных органов, решению суда и в прочих случаях, предусмотренных законодательством РФ.

С целью предоставления дополнительной информации, оказания услуг, Пользователь можете быть направлен на другие ресурсы, содержащие информационные или функциональные ресурсы, предоставляемые третьими лицами.

Только в тех случаях, когда информация собирается от лица АО «Аналитический центр», использование данных Пользователя будет определяться политикой АО «Аналитический центр» в отношении конфиденциальности персональных данных. При предоставлении информации на других ресурсах будут использоваться политики в отношении конфиденциальности персональных данных, проводимые их владельцами.

АО «Аналитический центр» требует от своих партнеров использования политики в отношении конфиденциальности персональных данных, согласующихся с политикой АО «Аналитический центр».

БЕЗОПАСНОСТЬ ВАШИХ ПЕРСОНАЛЬНЫХ ДАННЫХ

АО «Аналитический центр» использует технологии безопасности, процедуры и организационные меры для защиты персональных данных Пользователя от несанкционированного доступа, использования или разглашения.

АО «Аналитический центр» стремится защитить персональные данные Пользователя, но не может гарантировать безопасность передаваемых данных.

АО «Аналитический центр» рекомендует принимать все меры по защите ваших персональных данных при работе в Интернете. Часто меняйте пароли, используйте сочетание букв и цифр при создании паролей и используйте защищенный браузер.

ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ

АО «Аналитический центр» не хранит персональные данные Пользователя дольше, чем необходимо для целей их сбора, или чем требуется в соответствии с действующими законами или правилами.

как получить в Москве, пошаговая инструкция

Услуга «Проход и питание» предоставляется жителям Москвы и Московской области на портале mos.ru, вход в систему может осуществляться через систему госуслуги.  Для того чтобы воспользоваться услугой, необходимо оформить карту «Москвенок» и написать заявление в учебном учреждении.

Плюсы и минусы подключения к системе «Проход и питание» для Москвы через Госуслуги

Электронный браслет «Москвенок» очень удобен для школьника

Через портал государственных услуг осуществляется лишь вход на официальный сайт mos.ru, подключить саму услугу при помощи портала невозможно. Для этого потребуется обратиться к работнику образовательного учреждения, ответственному за услугу «Проход и питание», а затем предоставить личное заявление.

После этого родители получают личный доступ в систему. Где смогут отслеживать информацию о ребенке, а именно проход и выход из образовательного учреждения, покупки ребенка, а также смогут составлять личное меню и ограничивать покупки. Такая система имеет ряд преимуществ:

Имея учетную запись на сайте госуслуги оформить проход и питание для своих детей становится проще

1. Контроль посещения и повышение безопасности.
2. Отсутствие необходимости носить наличные деньги.
3. Контроль за питанием.
4. СМС-сообщения о посещении школы.

Использовать услугу достаточно просто. Все необходимые действия выполняются из личного кабинета.

Пошаговая инструкция, как зайти в систему «Проход и питание» через  Госуслуги

Зайти в систему достаточно просто, если предварительно получен доступ к личному кабинету «Проход и питание», а также имеется регистрация на портале государственных услуг. Для регистрации на Госуслугах потребуется указать личную информацию, номер мобильного телефона или номер СНИЛС.

Шаг 1. Открыть официальный сайт государственных услуг Москвы, а именно mos.ru. Затем нажать на клавишу «Войти в правом верхнем углу».

После того, как откроется форма входа, из всех предложенных вариантов выбрать вход через Госуслуги.

Затем откроется стандартная форма авторизации портала государственных услуг. В ней пользователь указывает данные от своей учетной записи.

Шаг 2. Для упрощения действий рекомендуется воспользоваться поисковой строкой, указав в запросе «Проход и питание».

На этом этапе у пользователей, имеющих доступ к системе, откроется личный кабинет. Все остальные смогут более подробно ознакомиться с информацией о получении услуги.

Для получения карты «Москвенок» необходимо личное обращение. После подключения услуги, добавлять доверенных лиц можно онлайн, не писав для этого дополнительного заявления.

После того, как пользователь получит личный логин и пароль для доступа в систему, он сможет получать информацию о своем ребенке в личном кабинете, а также онлайн использовать все возможности данной услуги.

Возможные трудности

Чтобы заявку приняли нужно правильно указать все свои данные

Проблемы, как правило, возникают в том случае, когда пользователь старается зарегистрироваться в системе «Проход и питание» самостоятельно. Важно понимать, что без предварительно составленного заявления это невозможно. Доступ предоставляют сотрудники образовательного учреждения, в чьи обязанности входит контроль за услугой «Проход и питание».

После подачи заявления работники школы не могут отказать родителям, желающим присоединиться к услуге. Сложности могут возникнуть лишь в том случае, если родитель или опекун допустил ошибки при составлении заявления, либо предоставил ложные сведения. В этом случае потребуется переписать заявление, устранив все недочеты и обратиться к ответственному лицу повторно. Доступ предоставляется достаточно быстро.

Сервис «Москвенок» поможет родителям контролировать питание и расходы ребенка в школе

Также он позволяет узнать время посещения школы.

Родители столичных школьников с помощью сервиса «Москвенок» смогут контролировать, когда их ребенок пришел в школу, чем питался и установить ежедневный лимит траты денег, сообщается на портале мэра и правительства Москвы.

«С помощью сервиса «Москвенок» на портале mos.ru рoдители могут узнать, когда ребенок был в здании шкoлы, что он ел, пoполнить счет для покупки еды, сфoрмировать перечень нежелательных продуктов и устанoвить лимит ежедневной траты денег», — говорится в сообщении.

Кроме того, родители могут определить круг дoверенных лиц (например, предоставить доступ бабушке или няне), которые также будут получать информацию о шкoльной жизни ребенка. Родители дoшкольников могут узнать, ктo привел и увел ребенка из детского сада, а также oпределить круг лиц, которым позволенo забирать малыша.

Идентификатoры «Москвенка» не содержат персональную инфoрмацию. Имя ребенка, данные о клаcсе или группе, баланс его счета и право на льгoту хранятся в информационной системе «Прoход и питание» и используются толькo на территoрии школы, колледжа или детского сада.

«Подключить услугу инфoрмирования «Проход и питание» может родитель или другoй законный представитель ребенка. Для этого нужнo взять заявление у работника, отвечающего за сиcтему «Проход и питание» в школе или колледже, или cкачать его с сайта. В заявлении необходимо указать нoмер мобильного телефона, котoрый будет привязан к лицевому счету. Для того, чтoбы информацию о посещении и питании ребенка мог пoлучать кто-то еще, например, бабушка или няня, рoдителю нужно указать этого человека в заявлении на пoдключение услуги информирoвания или добавить в число представителей на портале», — уточняется в сообщении.

«Москвенок» — информсистема для родителей и детей, к которой подключены горoдские детские сады, школы и кoлледжи. Внедрять систему начали в 2012 гoду в рамках программы «Информационный город».

Интенсивное исследование структурных превращений монокристалла мусковита под воздействием высокодозного γ-облучения и предположение о механизме

Аннотация

Интенсивные исследования структурных превращений монокристалла мусковита под воздействием высокодозного γ-излучения необходимы для его использования при обнаружении облучения, а также полезен для познания механизма образования дефектов в матрице глины, используемой при захоронении высокоактивных радиоактивных отходов (ВАО). В данной работе монокристалл мусковита был облучен лучом Co-60 γ на воздухе при мощности дозы 54 Гр мин ⁻¹ с дозами 0–1000 кГр.Затем структурное преобразование и механизм были исследованы с помощью спектра комбинационного рассеяния, инфракрасного спектра с преобразованием Фурье, дифракции рентгеновских лучей, термогравиметрического анализа, CA, сканирующего электронного микроскопа и атомно-силовой микроскопии. Основные результаты показывают, что вариации химической / кристаллической структуры зависят от дозы. Облучение в малых дозах в достаточной степени разрушило структуру, удалив Si – OH, тем самым снизив гидрофильность. При увеличении дозы до 100 кГр ХА увеличивалась с 20 ° до 40 °. За исключением изменения гидрофильности, усадка произошла в плоскости решетки (004), которая позже восстановилась; диапазон изменения при облучении 500 кГр составлял 0.5% близко к 0,02 Å. Основными механизмами были разрушение каркаса и радиолиз H ₂ O. Разрушение каркаса приводит к удалению Si – OH, а радиолиз H ₂ O приводит к дополнительному введению OH. Дополнительное введение ОН, вероятно, приводит к регенерации связи Si – OH, сжатию плоскости решетки и восстановлению гидрофильности поверхности. Роль разрушения каркаса и радиолиза H ₂ O на трансформацию структуры зависит от дозы. При низких дозах нарушение каркаса кажется более важным, а при высоких дозах важен радиолиз H ₂ O.Обычно изменения химической структуры и свойств поверхности нелинейны и менее заметны при высоких дозах. Это указывает на то, что использование химической структуры или изменения свойств поверхности для описания облучения является правильным при низких дозах, но не при высоких дозах. Этот вывод имеет важное значение для понимания того, подходит ли мусковит для обнаружения высоких доз облучения или нет, и изучение механизма является эффективным для определения процедуры образования дефектов в матрице глины, используемой при захоронении ВАО на практике.

Ключевые слова: мусковит, γ -облучение, H ₂ O радиолиз, дегидроксилирование, гидрофильность поверхности

1.

Введение

Ядерная энергия — это высокоэффективная энергия, широко используемая в мире. Помимо того, что он является источником энергии, приносит пользу экономике и обороне, для устойчивого развития этой энергетики решающее значение имеют две особенности. Один из них — достаточная защита или обнаружение облучения, поскольку облучение сопровождается ядерной энергией (например,грамм. взрыв или испытание ядерного оружия, ядерная авария) и очень опасно [1]. Другой — эффективное удаление отходов, особенно высокоактивных радиоактивных отходов (ВАО), которые являются токсичными и радиоактивными [2–4].

В области обнаружения облучения для обеспечения хорошей стабильности и низкой стоимости в качестве детектора предлагается мусковит [5–9]. Его чувствительность была исследована при нормальных дозах (менее 300 кГр) [8,10], в то время как чувствительность при более высоких дозах изучается редко, что требует дополнительных исследований. Помимо обнаружения облучения с низкой дозой, также важно обнаружение облучения с высокой дозой. Это связано с тем, что многочисленные факторы указывают на наличие высоких доз облучения (например, ядерная авария, ВАО, хранилище отработавшего топлива, космическое пространство). В этом случае полезно разработать новый материал или оценить существующий, чтобы убедиться, что он подходит для обнаружения высоких доз облучения или нет. В настоящее время были оценены многочисленные материалы, такие как полимеры, полупроводники (кремний), стекло и фторид кальция (CaF ₂ ) [11]. Однако они, вероятно, бесполезны из-за определенных недостатков.Например, полимер легко разрушается и его можно нагревать облучением [12–14], полупроводник может легко проводить электричество [12], состав стекла сложный, CaF ₂ выделяет токсичный газ при облучении [12] . В этом случае создание материала, подходящего для обнаружения высоких доз облучения, все еще остается сложной задачей. Помимо низкой стоимости и стабильности, мусковит имеет частичные преимущества, такие как хорошая электроизоляция, теплоизоляция [15] и прозрачность. Эти преимущества полезны для хранения накопленных эффектов и наблюдения за ионным треком, особенно при ионном облучении [5,16].Он может иметь потенциальное применение при обнаружении высоких доз облучения [17]. Таким образом, полезно иметь четкое представление о его чувствительности при облучении высокими дозами.

Для захоронения ВАО рекомендуется глубокое геологическое захоронение [18]. В этом проекте глина предлагается в качестве засыпного материала для предотвращения миграции радионуклидов [19]. Помимо удержания [20,21], он будет поглощать воду и выдерживать различные облучения [22,23]. Облучение может разрушить структуру матрицы [24] и примеси и привести к радиолизу H ₂ O [25,26], что приведет к ухудшению удерживающей способности и механических свойств.Когда структура матрицы разрушена, удерживающая способность и механические свойства не могут быть сохранены [27]. В этом случае частичные радионуклиды могут мигрировать в подземные воды, что опасно [28,29]. Естественно, глина является наилучшей средой для снижения опасности для экосистемы ВАО, за исключением породы, предназначенной для проекта захоронения. Его радиационная стойкость имеет решающее значение для обеспечения эффективности проекта утилизации. В этом случае имеет смысл четкая оценка стабильности и изучение механизма глины при облучении.Многочисленные группы провели исследования в этой области (например, Cs ⁺ , UO ₂ ⁺ диффузия [30,31], восстановление Fe ³⁺ [24,32], радиолиз H ₂ O [26 , 33–35]). В действительности, благодаря таким характеристикам, как низкая стоимость, хорошая огнестойкость и нетоксичность, глина является широко используемым материалом в экологических и медицинских науках для производства конструкционных материалов [36–41], очистки сточных вод или восстановления окружающей среды [42–44], лекарственных препаратов. поставка [45] и т. д.

На сегодняшний день основной механизм и стабильность утилизации ВАО четко не изучены из-за сложности состава материала и условий окружающей среды.Обычно глина представляет собой композит, содержащий многочисленные примеси, такие как оксиды, органические вещества, на долю которых приходится до 40% [46]. Кроме того, H ₂ O обычно присутствует в самом материале или в окружающей среде. При облучении матрица, примесь и H ₂ O будут генерировать многочисленные радикалы. Они могут вступить в реакцию друг с другом, что приведет к созданию сложного продукта. Таким образом, исследование механизма и оценка устойчивости затруднены [47].

На самом деле, главное свойство глины — это матрица.Полезно иметь четкое представление о стабильности и механизмах образования дефектов в глинистой матрице. Матрица глины представляет собой филлосиликат, и дефекты в филлосиликате аналогичны [48]. Принимая во внимание эти факторы, полезно использовать чистый кристалл филлосиликата для предположений о радиационном повреждении или для изучения механизмов образования дефектов в матрице глины, используемой при захоронении ВАО на практике. Чтобы система была понятной и сопоставимой, образец должен быть чистым и близким по структуре к применяемой на практике матрице.В таком состоянии, наверное, больше подойдет мусковит.

Мусковит-KAl ₂ (AlSi ₃ O ₁₀ ) Однокристаллический (OH) ₂ представляет собой чистый кристалл филлосиликата со слоистой структурой «2: 1» (T – O – T). Два тетраэдрических листа SiO ₄ соединены вместе октаэдрическим листом AlO ₆ , образуя трехслойную структуру. Одна четверть тетраэдрического Si замещена на Al, а третья треть октаэдрических позиций содержит вакансии [49,50]. Вакансия проявляется в виде диоктаэдрической структуры в листе октаэдра.Обычно трехслойная структура связана между собой ионом K ⁺ слабыми ионными связями [50–53]. Для прочной сборки соседних слоев не расширяется. Хотя мусковит не предлагается использовать для захоронения ВАО, его слоистая структура аналогична матрице глины, используемой для этой цели. В то же время количество примесей и H ₂ O в этом материале невелико, что снижает сложность компонента материала и делает систему простой, улучшая понимание.В этом случае полученная вариация могла быть в основном приписана матрице, что способствовало предположению об образовании дефектов. Обычно H ₂ O трудно удалить полностью [20,34,54], и его радиолиз невозможно избежать. Кроме того, уровень радиационного поражения зависит от вида скатов. Для глины, используемой для захоронения ВАО, более важным представляется облучение γ -лучами из-за ее сильного проникновения. Для сильного проникновения луч γ может даже проникать через упаковочный материал и широко используется для радиационной модификации [55–57].Более важным представляется изучение влияния облучения высокой дозой излучения γ на мусковит.

Таким образом, в данной работе монокристалл мусковита был облучен лучом Co-60 γ на воздухе при мощности дозы 54 Гр мин ⁻¹ с дозами до 1000 кГр. Затем было исследовано изменение структуры и внутреннего механизма. Основные цели этой работы заключались в том, чтобы (1) изучить чувствительность мусковита к высоким дозам облучения, чтобы убедиться, подходит ли он для обнаружения высоких доз облучения или нет, (2) понять механизм трансформации структуры и (3) лучше понять механизм образования дефектов в матрице из глины, используемой при захоронении ВАО. Основные результаты показывают, что мусковит чувствителен к малым дозам облучения, но не к высоким. Использование этого материала для обнаружения высоких доз облучения является неправильным. H ₂ O радиолиз необходим, особенно при высоких дозах.

2. Экспериментальная часть

2.1. Материалы

Мусковит-KAl ₂ (AlSi ₃ O ₁₀ ) (OH) ₂ — монокристаллическая пленка (оптически прозрачная, светло-розовая) была куплена в Кембриджском университете, Великобритания. проанализирован и описан как MUS2 в литературе [58,59].

2.2. Подготовка образцов и облучение

Перед облучением пленку толщиной менее 200 мкм сушили при 65 ° C в течение 5 ч для удаления абсорбированной воды. Затем пленку обернули алюминиевой фольгой и облучали лучом Co-60 γ на воздухе в Институте ядерной физики и химии Китайской академии инженерной физики (Мяньян, Китай) при комнатной температуре с мощностью дозы 54 Гр min ⁻¹ с дозами до 1000 кГр. Затем образцы хранили на воздухе при комнатной температуре перед характеристикой.

2.3. Характеристика

2.3.1. Спектр комбинационного рассеяния

Эксперименты по спектру комбинационного рассеяния (RS) были выполнены на приборе Nicolet ALMEGA XR от 90 до 1300 см ^-1 со спектральным разрешением 0,9 см ^-1 , источником лазера 532 нм и мощностью 4,5 мВт.

2.3.2. Инфракрасный спектр с преобразованием Фурье

Эксперименты с моделью отражения были выполнены на спектрометре Bruker Tensor 27 от 400 до 4000 см ^-1 с разрешением спектра 4 см ^-1 , 32 сканирования на спектр.Эксперименты в режиме пропускания проводились на спектрометре Thermo Fisher Nicolet iS50 от 2400 до 4000 см ^-1 с разрешением спектра 2 см ^-1 , 32 сканирования на спектр. Образец, подготовленный для эксперимента с режимом пропускания, разрезали на квадрат размером 16 мм × 18 мм, и спектр нормировали по массе как 10 мг.

2.3.3. Дифракция рентгеновских лучей

Эксперименты по дифракции рентгеновских лучей (XRD) проводили на порошковом рентгеновском дифрактометре D8 Advances с использованием облучения Cu k _α ( λ = 0.15418 нм) напряжением 40 кВ и током 40 мА. Размер шага и сканирование 2-тета (2 θ ) были установлены равными 0,02 ° и 5–90 °, соответственно, и все шаблоны были проанализированы с помощью программного обеспечения Jade 5.

2.3.4. Термогравиметрический анализ

Эксперименты по термогравиметрическому анализу (ТГА) проводили на приборе Netzsch STA 449 F3 от 50 до 500 ° C со скоростью нагрева 10 ° C мин. ^-1 и потоком аргона 50 мл мин. ^{— 1} .

2.3.5. Анализ угла смачивания

Эксперименты со статическим углом смачивания (СА) проводили на измерителе угла смачивания XG-CAM.На поверхность образца падали каплю 2 мкл очищенной воды, и изображение сразу же фиксировалось камерой [60]. Затем был рассчитан CA, и каждый образец был измерен пять раз в разных местах, чтобы получить средние данные [61,62].

2.3.6. Растровый электронный микроскоп

Измерения на растровом электронном микроскопе (СЭМ) проводили на приборе Zeiss MERLIN Compact 14184 с ускоряющим напряжением 8 кВ. Перед измерением на поверхность образца наносился тонкий слой золота для увеличения электропроводности [63].

2.3.7. Атомно-силовая микроскопия

Эксперименты по атомно-силовой микроскопии (АСМ) проводили на приборе ИНТЕГРА Прима (NT-MDT Co.). Перед измерением тонкий слой двусторонней липкой ленты закрепляли на предметном стекле, затем пленку фиксировали на ленте. Был принят режим постукивания сканирования, и данные были проанализированы с помощью программного обеспечения Nova-px.

3. Результаты и обсуждение

3.1. Анализ химической структуры

Инфракрасные спектры комбинационного рассеяния и преобразования Фурье (FT-IR) широко используются для характеристики химической структуры.показывает спектры комбинационного рассеяния света нетронутого и облученного мусковита. Во всех спектрах видны три характеристические полосы при 264, 409 и 704 см ⁻¹ , соответствующие колебаниям равнобедренного треугольника O – H – O [49], октаэдра AlO ₆ [49] и тетраэдра SiO ₄ [50], соответственно. Остальные полосы около 196, 638, 753, 913, 955 и 1117 см ⁻¹ отнесены и связаны с колебаниями каркаса тетраэдра и октаэдра в природе [49,50,52]. Видя спектры в макро, это может означать большие вариации в образце, облученном 1000 кГр для слабой интенсивности.Однако, как показано на графике, это неверно. График (образец, облученный 1000 кГр) в целом аналогичен кривым для других образцов. Похоже, что очевидного изменения положения и формы полосы для образца после облучения не наблюдается. Одновременно с этим сложно точно назначить основные полосы. Например, полоса при 913 см ⁻¹ может быть отнесена к вибрации дыхания тетраэдрического листа [50], колебаниям Si – O – Al [52] или либрации Al ₂ –OH [49,50] .В этом случае RS анализировался не количественно, а качественно.

Рамановские спектры мусковита при облучении γ -лучами в диапазоне 0–1000 кГр.

Таблица 1.

Наблюдаемая комбинационная вибрация и ее мусковитное назначение. Примечание: O _nb = без моста O; O _br = мостик O.

Никакая внутренняя полоса не исчезла или дополнительная полоса не появилась после облучения в спектрах комбинационного рассеяния, что указывает на незначительное изменение каркаса. Это можно объяснить следующим образом. Обычно RS чувствителен к неполярным колебаниям, таким как колебания связи C – C [64]. При этом для мусковита спектр в основном отражает колебания Si – O или Al – O. Облучение эффективно разрушает химическую связь [62,63], в то время как для мусковита его TO ₄ может быть стабильным. Это связано с тем, что разорванные атомы Si, Al или O не могут покинуть свои позиции из-за связи соседних атомов. В этом случае разорванные связи (Si – O или Al – O) могут даже регенерироваться.Наконец, вид химической связи в листе тетраэдра, по-видимому, незначительно меняется после облучения. Для октаэдра AlO ₆ наблюдается колебание ОН, а принадлежность не определена. Например, полоса при 409 см ⁻¹ может быть отнесена к либрации Al ₂ –OH [49] или изгибу SiO ₄ [52]. Кроме того, вариации для октаэдра AlO ₆ кажутся меньше. Обычно облучение γ -лучами приводит к очевидным изменениям в химической структуре, когда удаляются частичные атомы или присутствует участие дополнительных частиц [26,33,62,65,66]. Это означает, что многочисленные связи Si-O или Al-O разрушены или новые связи (например, Si-C или Si-N) могут явно изменить RS. В действительности, связи Si – O или Al – O не могут быть эффективно разрушены из-за их внутренних характеристик. В то же время, чтобы обеспечить чистоту образца, не вступая в контакт с лишними новыми элементами в процессе облучения, химическая связь с лишним элементом не может образоваться. В этом случае вид химической связи в каркасе после облучения несколько изменился.Эти предположения, вероятно, могут объяснить небольшое изменение спектров комбинационного рассеяния.

ИК-Фурье спектр эффективно характеризует асимметричную вибрацию и более четко описывает вибрацию ОН, что является информативным. показаны ИК-Фурье спектры, полученные с помощью модели отражения для мусковита при облучении γ -лучами при 0–1000 кГр. Наблюдалось несколько полос при 685, 744, 803, 895 и 967 см ⁻¹ , в основном связанных с колебаниями листа тетраэдра (связи Si – O или Al – O,). Кажется, что в этом регионе нет явных изменений. Также наблюдалась полоса около 3623 см ^-1 , соответствующая отрезку Al – OH [49,58,59]. Кроме того, наблюдались две плечевые полосы на 3695 и 3734 см ^–1 , соответствующие растяжению Al – Al – OH и колебанию Si – OH в природе [59]. Все три полосы связаны с колебанием O – H. Похоже, что в этом регионе есть частичное изменение. Для исходного образца наблюдалась полоса при 3734 см ⁻¹ , приписываемая колебанию Si – OH.После облучения эта полоса исчезла при низкой дозе, а затем снова появилась при дозе выше 500 кГр. В то же время колебания участка Al – Al – OH на 3695 см ^–1 усиливались при облучении 1000 кГр. Это интересное явление, которое можно объяснить следующим образом. При облучении связь Si – OH, обычно существующая в силикате, таком как частица SiO ₂ [67,68], может быть разрушена, что свидетельствует о пониженной вибрации Si – OH. За исключением разрушения, сломанные части можно восстановить, так как радиационный эффект не зависит от поглощенной дозы [69,70]. В этом случае полоса Si – OH может наблюдаться в образце, облученном большими дозами. За исключением полосы Si – OH, полоса Al – Al – OH изменялась, показывая вариации октаэдра ().

ИК-Фурье-спектры, полученные с помощью модели отражения для мусковита при облучении γ -лучами при 0–1000 кГр.

Таблица 2.

Наблюдаемая FT-IR вибрация и ее мусковитовая принадлежность. Примечание: O _nb = немостиковый O.

Из, можно увидеть частичное изменение колебания OH, которое требует количественного анализа. Тем не менее, частичные трудности существуют. Во-первых, базовая линия на 3500–3800 см ^–1 не прямая. Во-вторых, колебание тетраэдра сложное. Мы не можем назначить точную вибрацию. Например, полосу на 967 см ⁻¹ можно отнести к категории колебаний SiO ₄ [58], растяжения Si – O – Si [52,58]. Кроме того, эта полоса представляет собой сложную накладку. Трудно разделить. Наконец, сложно назначить внутренний стандартный диапазон. Таким образом, количественный анализ затруднен.

Чтобы четко описать колебания OH, пленки измеряли на другом ИК-Фурье спектрометре в режиме пропускания с квадратом размером 16 мм × 18 мм и нормированным по массе равным 10 мг.

показывает FT-IR спектры, полученные в режиме пропускания для мусковита от 1800 до 4000 см ^-1 с нормализацией по массе 10 мг. От до кажется, что нет очевидного изменения положения и формы полосы, и наблюдалась только полоса около 3627 см ⁻¹ , соответствующая колебанию Al – OH в октаэдре [58]. Это несовместимо со спектром FT-IR, полученным с помощью модели отражения как колебание Si – OH (3734 см ^-1 ), наблюдаемое в этом спектре (). Вероятно, это связано с различием между двумя используемыми методами и структурой выборки. Для мусковита его вектор OH в направлении z является сильным (включенный угол между направлением z и OH составляет менее 30 °) [71], а колебания Si – OH слабее по сравнению с Al – OH. (). Для эксперимента в режиме пропускания ИК-Фурье фотон распространяется вертикально по отношению к поверхности образца.В этом случае сигнал колебания ОН слабый. Поскольку колебание Si – OH слабее по сравнению с Al – OH, в этом случае сигнал слабый. Тем не менее, для эксперимента с моделью отражения в ИК-Фурье () направление распространения фотона не вертикально по отношению к поверхности образца, а, вероятно, имеет угол наклона 45 °. В этом случае сигнал колебания OH может быть сильным, и колебание Si – OH может наблюдаться. Эти предположения, вероятно, могли объяснить конфликт. Чтобы четко описать количество ОН, область полосы около 3627 см ^-1 была интегрирована и показана в b .Как правило, площадь полосы увеличивалась с увеличением дозы. Для образца, облученного 1000 кГр, площадь полосы была больше, чем у исходного образца, почти на 20%, показывая, что было введено большое количество Al – OH, что означает, что дегидроксилирование не было доминирующей реакцией во время процесса облучения. Поскольку в процессе облучения образец не контактировал с другими частицами, кроме воздуха, дополнительное втягивание ОН, вероятно, было связано с радиолизом H ₂ O, поскольку частичный H ₂ O лежал на поверхности, межслое или краях [34] .В действительности связи Al – OH в основном существуют в листе октаэдра. Дополнительные введенные связи Al – OH, вероятно, в основном происходят из-за разрыва связей между листами тетраэдра и октаэдра (связи Al – O – Si или Al – O – Al). В этом случае могут образовываться частичные связи Si – OH вместе с образованием связи Al – OH. Это предположение, вероятно, могло служить подтверждением повторного появления полосы Si – OH в образце, облученном высокими дозами. Дополнительная введенная химическая связь может изменить кристаллическую структуру, и скорость радиолиза H ₂ O может снизиться.

ИК-Фурье спектры, полученные в режиме пропускания для мусковита от 1800 до 4000 см ^–1 с нормировкой по массе 10 мг.

Обычно при количественном анализе ИК-Фурье спектра следует назначать полосу внутреннего стандарта. Использование массы для количественного анализа ИК-Фурье спектра необычно. На самом деле мы приняли эту стратегию. Тем не менее, полоса с низким волновым числом легко насыщается, а колебания для OH слабые. В этом случае, когда сигнал для OH является визуальным, сигнал с низким волновым числом насыщается, когда сигнал с низким волновым числом является правильным, а сигнал для OH является слабым.Трудно использовать полосу внутреннего стандарта для количественного анализа количества ОН в ИК-Фурье-спектре, полученном в эксперименте с режимом пропускания. Таким образом, спектр нормировался по массе. Мы считаем, что эта стратегия также эффективна.

Как правило, анализ комбинационного рассеяния света и FT-IR показывает, что облучение не оказывает сильного воздействия на матрицу, но оказывает очевидное влияние на микроструктуру. При облучении связь Si – OH разрушалась при низкой дозе, а затем регенерировалась при высокой дозе. Одновременно была введена дополнительная связь Al – OH, вероятно, связанная с радиолизом H ₂ O.Введение дополнительной группы Al-OH указывает на то, что дегидроксилирование не было доминирующим.

3.2. Анализ кристаллической структуры

Дополнительный введенный ОН может изменить кристаллическую структуру, что, вероятно, приведет к усадке или расширению кристалла. Соответственно, изменение кристаллической структуры может отражать изменение химической структуры, что способствует изучению механизма. а показывает рентгенограммы мусковита при облучении γ -лучами при 0–1000 кГр. Основные плоскости решетки были назначены программой Jade 5 согласно стандартным карточкам PDF. Для исходного образца было пять основных плоскостей решетки, обозначенных как (002), (004), (006), (008) и (224) с соответствующими 2 θ s как 8,88 °, 17,76 °, 26,81 °, 36,00 ° и 45,43 ° соответственно. Для облученных образцов картины были аналогичны исходному образцу. Для всех образцов наблюдались несколько пиков с 2 θ с как 55,19 °, 64,43 ° и 76,28 °, вероятно, из-за повторения плоскости решетки, поскольку использованный метод представлял собой порошковую дифракцию при отборе образцов в пленке.Как правило, дифрактограммы не показывают очевидного изменения формы и положения пика для образца после облучения, что подразумевает отсутствие очевидных различий между видами. Если бы виды были изменены, образцы, очевидно, изменились бы, поскольку разные материалы или фазы имели разные параметры плоскости решетки. Подобная картина указывает на отсутствие серьезного разложения или фазового превращения в процессе облучения. Хотя серьезной трансформации не произошло, вероятно, произошла частичная вариация микро.

Рентгенограммы мусковита при облучении γ -лучами в диапазоне 0–1000 кГр.

b показывает уточненные диаграммы XRD для плоскостей решетки (002), (004), (006) и (008). Все модели схожи, но обычно смещаются на более высокий угол при низкой дозе, чем при дозе выше 500 кГр. Если взять плоскость решетки (004) как репрезентативную, чистую, образцы, облученные 500 кГр и облученные 1000 кГр, имели 2 θs как 17,76 °, 17,85 ° и 17,77 °, соответственно. Согласно формуле Брэгга ( nλ = 2 d sin θ ) для уточненной плоскости решетки и условия измерения n и λ постоянны.В этом случае увеличение θ означает уменьшение d [72]. Другими словами, облучение малой дозой уменьшает межслоевое пространство, что приводит к его усадке.

Для количественного описания этого изменения было исследовано межслоевое пространство d для плоскости решетки (004). Для вышеупомянутых 2 θ с отношение межслоевого пространства для облученного 500 кГр и исходного образца ( d ₅₀₀ / d ₀ ) составляет 99,4% ( d ₅₀₀ / d ₀ = sin θ ₀ / sin θ ₅₀₀ = sin8.88 ° (17,76 / 2) / sin8,93 ° (17,85 / 2) = 0,9944 × 100% = 99,44%), что означает усадку на 0,5% (100–99,44% ≈ 0,5%) при облучении 500 кГр. Отношение межслоевого пространства для образцов, облученных 1000 кГр, и исходных образцов ( d ₁₀₀₀ / d ₀ ) составляет 99,9% ( d ₁₀₀₀ / d ₀ = sin θ ₀ / sin θ ₁₀₀₀ = sin8,88 ° (17,76 / 2) / sin8,89 ° (17,77 / 2) = 0,9989 × 100% = 99,89%), что означает межслоевое пространство d был восстановлен дополнительным облучением.Чтобы более точно понять вариацию, межслоевое пространство d для этой плоскости решетки было рассчитано с помощью программного обеспечения Jade 5 для вышеупомянутых 2 θ с и λ = 0,15418 n м. д ₀ , д ₅₀₀ и д ₁₀₀₀ составляли 4,985 ± 0,002, 4,962 ± 0,002 и 4,981 ± 0,004 Å, соответственно, и д ₅₀₀ / д ₀ = 4,962 / 4,985 ≈ 0,9954 ≈ 99,54%, д ₁₀₀₀ / д ₀ = 4.981 / 4,985 ≈ 0,9991 ≈ 99,91%. Результат близок к таковому по сравнению с sin θ . Обычно при облучении 500 кГр плоскость решетки (004) сжимается почти на 0,5%, приближаясь к 0,02 Å (4,985 (± 0,002) — 4,962 (± 0,002) = 0,023 (± 0,002) Å).

Если посмотреть на значение, то диапазон снижения невелик, в то время как явление интересно и внутренний механизм кажется важным. Уменьшение межслоевого пространства означает сокращение плоскости решетки. В большинстве случаев изменение находится в пределах листа октаэдра, поскольку этот слой имеет множество вакансий [49,50,52] и нестабилен по сравнению с листом тетраэдра.Из-за вакансий частичный ОН связан с немостиковым атомом О, образуя водородные связи, показанные в виде равнобедренного треугольника O – H – O [49,73]. В результате вектор OH не параллелен направлению z . Образование водородной связи усиливает межслоевую силу внутри листов тетраэдра и октаэдра [74], сокращая межслоевое пространство. Это означает, что образование дополнительных водородных связей может привести к усадке. Обычно разрыв химической связи приводит к усадке кристаллической единицы.Напротив, введение дополнительных химических связей приводит к расширению плоскости решетки [75]. Из вышеупомянутого анализа после облучения 500 кГр межслоевое пространство d плоскости решетки (004) уменьшилось, показывая сжатие. Это интересно. Вероятно, это в основном связано с разрывом каркаса и образованием водородной связи. Разорванные связи, вероятно, представляют собой связь между листами тетраэдра и октаэдра в виде связей Al – O – Si или Al – O – Al, поскольку разрыв связи Al – OH разрушит водородную связь, что приведет к расширению мусковита [58].Разрыв химической связи в листе тетраэдра не изменит межслоевое пространство, поскольку межслоевое пространство в основном лежит на структуре T – O – T в направлении z . Естественно, это масштаб длины связи Si (Al) –O – Al – O – Si (Al) в направлении z . За исключением разрыва химической связи, была введена дополнительная связь Al – OH (). Они могут образовывать водородную связь, способствуя сокращению. Эти предположения, вероятно, могут объяснить усадку плоскости решетки при малых дозах. При высоких дозах дополнительно введенные ОН могут разрушаться и отвергать друг друга.В этом случае межслоевое пространство может восстановиться. Эти предположения, вероятно, могли бы объяснить восстановление межслоевого пространства d для образца, облученного 1000 кГр.

Диапазон изменения (около 0,5%, около 0,02 Å) может быть небольшим по сравнению с изменением, вызванным ионизирующим излучением, таким как Au ³⁺ , Pb ²⁺ или He ²⁺ , поскольку они огромны в объем и заряд, демонстрируя эффект высокой линейной передачи энергии (ЛПЭ), легко вызывающий смещение атомов в решетке [70,76].Наконец, они легко вызывают фазовое превращение, аморфизацию или разложение. Однако диапазон вариаций (0,5%) может быть очевиден для облучения γ -лучами, поскольку эффект ЛПЭ для γ-излучения слаб. Из-за эффекта низкой ЛПЭ трудно вложить в решетку огромную энергию. Таким образом, повышением температуры в решетке и колебаниями атомов, усиленными повышением температуры, можно пренебречь. В этом случае облучение γ -лучами не может привести к эффективному смещению атомов, только посредством случайной ионизации или мотивации химическая связь может быть разорвана, чтобы повлиять на кристаллическую структуру.Таким образом, изменение решетки, вызванное облучением γ -лучами, может быть незначительным. Обычно для твердого материала небольшое изменение решетки может явно изменить макроскопические свойства. Таким образом, нельзя не учитывать влияние диапазона вариации около 0,5%. На самом деле уточненная картина для плоскости решетки (006) с 2 θ вблизи 26,81 ° явно менялась, особенно для образца, облученного 200 кГр. Образец для этого образца также показал раскол ( b ).

Как правило, XRD-эксперименты показывают, что плоскость решетки (004) сжалась около 0.5% при облучении 500 кГр. Основные причины, вероятно, связаны с разрывом каркаса и образованием водородной связи. Уменьшение плоскости решетки также указывает на то, что дегидроксилирование не было доминирующим, подтверждая результаты FT-IR.

3.3. Анализ количества H

₂ O

Дополнительная введенная связь Al – OH, подтвержденная спектром FT-IR, вероятно, была связана с радиолизом H ₂ O. Уменьшение решетки (004), вероятно, связано с образованием дополнительных водородных связей. В этом случае количество H ₂ O должно уменьшиться.Очень важно сертифицировать этот процесс. В ранних сообщениях [58,77–85] для мусковита термическое дегидроксилирование не происходило бы при температуре ниже 500 ° C. Исходя из этого предположения, изменение массы при температуре ниже 500 ° C можно приписать улетучиванию H ₂ O, которое первоначально существовало. Таким образом, ТГА может характеризовать изменение количества H ₂ O.

показывает кривые ТГА для чистого, облученного 500 кГр и облученного 1000 кГр мусковита, соответственно. Все кривые показывают аналогичную тенденцию.При повышении температуры до 500 ° С масса несколько снижается. Например, масса первичных образцов, облученных 500 кГр и облученных 1000 кГр, снизилась до 95,7%, 97,8% и 96,1% соответственно. В то же время кривые не показывают резкого спада, что указывает на отсутствие интенсивного испарения органических веществ или разложения матрицы во время измерения. Предполагая, что образец является чистым без примесей, за исключением H ₂ O, небольшое снижение можно отнести к улетучиванию H ₂ O, поскольку H ₂ O обычно присутствует в глине [34,86] и может испаряться при 50 ° C. 500 ° С [34,87,88].

Кривые ТГА мусковита при облучении γ -лучами в различных дозах.

Одновременно мы предполагаем, что улетучивание H ₂ O линейно зависит от его содержания и количества H ₂ O в образце до облучения. В этом случае изменение уменьшения массы может быть связано с процессом облучения. Исходный образец имеет наибольшее снижение массы на 4,3% (100 — 95,7% = 4,3%). Облученные пятьсот 1000 кГр образцы имеют уменьшение массы в 2 раза.2 (100 — 97,8% = 2,2%) и 3,9% (100 — 96,1% = 3,9%) соответственно. Другими словами, количество H ₂ O в исходных, облученных 500 кГр и облученных 1000 кГр образцах можно рассматривать как 4,3%, 2,2% и 3,9%, соответственно, что свидетельствует о снижении количества H ₂ O в облученный образец.

После облучения количество H ₂ O уменьшилось, что интересно. Насколько нам известно, облучение γ -лучами представляет собой модель холодного облучения по сравнению с ионизирующим облучением, подобным облучению электронным пучком [89], и не может эффективно повышать температуру образца.В этом случае улетучиванием H ₂ O, вызванным повышением температуры, связанным с облучением во время процесса облучения, можно пренебречь. Из-за этого, причина уменьшения количества H ₂ O может быть приписана его радиолизу, поскольку H ₂ O легко подвергается радиолизу [25,90], а продукты радиолиза — радикалы H • и HO • являются реакцией -активен, легко вступает в реакцию с каркасом, вводя группы типа Al – OH. Дополнительный введенный ОН может усилить сигнал ОН в ИК-Фурье спектре и может образовать водородную связь, что приведет к сжатию плоскости решетки.В этом случае анализ ТГА дополнительно подтвердил результаты FT-IR и XRD.

Уменьшение количества H ₂ O в облученном образце также указывает на то, что дегидроксилирование не было доминирующей реакцией во время процесса облучения, поскольку эта реакция повысила бы количество H ₂ O. Если бы эта процедура была доминирующей, многочисленные связи Al – OH были бы разрушены, водородная связь (треугольник O – H – O) [49] была бы серьезно разрушена, что, вероятно, привело бы к серьезному расширению [58]. Это несовместимо с анализом XRD. Наблюдаемое снижение количества H ₂ O указывает на необходимость радиолиза H ₂ O. Хотя дегидроксилирование не было доминирующим, мы не можем быть уверены, произошла ли эта процедура или нет, поскольку динамическую процедуру трудно наблюдать in situ .

Кажется, что количество H ₂ O в образце, облученном 500 кГр, ниже, чем в образце, облученном 1000 кГр, а количество H ₂ O в образце, облученном 1000 кГр, близко к таковому в образце, облученном 1000 кГр. первозданный образец.Эти результаты могут похвально поддержать анализ FT-IR, поскольку образец, облученный 500 кГр, имеет наиболее интенсивный сигнал для колебаний OH (). В то же время, если предположить, что усадка плоскости решетки полностью объясняется дополнительным введением ОН, то в этом случае облученный 500 кГр образец имеет наиболее интенсивную усадку в плоскости решетки. Другими словами, он имеет наибольшее количество введенных ОН. Дополнительный введенный ОН обусловлен радиолизом H ₂ O. Таким образом, образец, облученный 500 кГр, должен иметь меньшее количество H ₂ O по сравнению с исходным образцом.ТГА-анализ подтвердил это предположение. Это означает, что результаты ТГА косвенно подтверждают анализ XRD. Причину того, что образец, облученный 500 кГр, имеет более низкое количество H ₂ O по сравнению с исходными образцами и образцами, облученными 1000 кГр, можно объяснить следующим образом. При облучении две процедуры происходили синхронно. Один из них — разрыв химической связи, такой как разрыв связи Al – OH, показанный как дегидроксилирование. Другой — введение дополнительной группы, связанной с радиолизом H ₂ O. Первая процедура повысит сумму H ₂ O, вторая уменьшит сумму H ₂ O.Наконец, механизм изменения количества H ₂ O сложен. При низкой дозе преобладает разрыв каркаса, и радиолизу H ₂ O может способствовать увеличение дозы. При высоких дозах дополнительное облучение, вероятно, приведет к большему разложению Al – OH, и H ₂ O может быть регенерирован. В этом случае образец, облученный 500 кГр, может иметь меньшее количество H ₂ O по сравнению с исходными образцами и образцами, облученными 1000 кГр, а количество H ₂ O в облученном образце 1000 кГр может быть близко к таковому в образце первозданный образец.Это явление обычно наблюдается, поскольку эффект излучения не является линейным с поглощенной дозой, такой как радиационное сшивание листа полиэтилена сверхвысокой молекулярной массы [65]. После порога степень сшивки будет постоянной или меньшей.

Обычно анализы FT-IR и TGA показывают радиолиз H ₂ O, что, вероятно, подразумевает дополнительное введение ОН в каркас. В большинстве случаев введение дополнительной химической связи увеличило бы параметр объема, такой как межслоевое пространство d , поскольку расширение происходит легче в направлении z-, чем в направлении x и y для слюды [60 , 91].Как видно из результатов XRD (), расширения не наблюдалось. Это кажется противоположным, хотя это можно приписать структуре. Поскольку треть позиций октаэдра представляют собой вакансии, а вектор OH не параллелен направлению z-, а образует водородные связи (треугольник O – H – O) [49], его структура не складывается компактно. Простаивают многие помещения. В этом случае его плоскость решетки трудно расширить внутренне. При введении ОН плоскость решетки не будет эффективно расширяться. Одновременно разрыв химической связи приведет к сжатию блока тетраэдра или октаэдра, минимизируя параметры объема, такие как межслоевое пространство d. Кроме того, частично введенный ОН может образовывать водородные связи. Наконец, наблюдалась усадка плоскости решетки. Эти предположения, вероятно, могли объяснить конфликт.

Как правило, измерения ТГА показывают снижение количества H ₂ O в облученных образцах, что указывает на то, что дегидроксилирование не было доминирующей реакцией во время процесса облучения. Основная причина, вероятно, связана с радиолизом H ₂ O. В этом случае результат ТГА может косвенно свидетельствовать о дополнительном введении связи Al – OH и сокращении плоскости решетки.

3.4. Гидрофильность и морфология поверхности

Изменение химической структуры может изменить свойства поверхности, такие как смачиваемость [92]. Статическая КА может эффективно характеризовать гидрофильность поверхности [62,63]. Таким образом, были проведены эксперименты с КА. a показывает оптические изображения капель воды на поверхности образца. В оригинальном образце капля воды почти полностью растекается, демонстрируя отличную гидрофильность. Для облученных образцов распространение капель аналогично исходному образцу, за исключением образца, облученного 100 кГр, который также демонстрирует хорошую гидрофильность.Похоже, что гидрофильность снижалась при более низкой дозе, чем при дополнительном облучении.

( a ) Оптические изображения капель воды на поверхности образца и ( b ) статические КА для мусковита при облучении γ -лучами при различных дозах.

Чтобы количественно описать вариации в пределах гидрофильности, CA был рассчитан и показан в b . Первоначальный образец имеет наименьшую СА примерно на 20 °. Облученные образцы имеют разные СА. Например, CA увеличивалось примерно до 40 ° при увеличении дозы до 100 кГр, затем снижалось примерно до 23 ° при увеличении дозы до 200 кГр.Тогда CA кажется постоянной в пределах 23–26 ° с непрерывным увеличением дозы до 1000 кГр. Это указывает на то, что облучение низкими дозами значительно снизило гидрофильность. Другими словами, влияние облучения на гидрофильность поверхности зависит от дозы. Это можно объяснить следующим образом. Согласно анализу FT-IR, был введен дополнительный ОН, способствующий гидрофильности. За исключением введения ОН, поверхность Si – OH была удалена, что снизило гидрофильность. Во время процесса облучения вышеупомянутые процедуры происходили синхронно и оказывали компенсирующее влияние на полученную СА.Наконец, механизм изменения CA сложен. В действительности связи Si – O, Si – OH и Al – OH являются гидрофильными [93,94]. В этом случае чистый образец обладает хорошей гидрофильностью. Обычно гидрофильность поверхности в основном зависит от структуры поверхности, которая в основном содержит лист тетраэдра и промежуточные ионы (например, K ⁺ ). В этом случае изменение в плоскости, вероятно, не влияет на гидрофильность. В процессе облучения невозможно избежать разрушения поверхности [25,33,95], и связь Si – OH была удалена ( b ).В этом случае гидрофильность поверхности снижалась при низких дозах. С увеличением дозы радиолиз H ₂ O стал серьезным. Частичные радикалы H • или HO • могут реагировать с листом тетраэдра, регенерируя связи Si – OH или Al – OH, способствуя гидрофильности. Кроме того, дополнительное введение ОН или разрушение может увеличить микрошероховатость, вероятно, увеличить удельную площадь поверхности, усилить межфазную силу между листом тетраэдра и H ₂ O, способствуя гидрофильности. В этом случае смачиваемость может быть восстановлена ​​дополнительным облучением, и спинодаль наблюдалась в СА. Эти предположения могут объяснить снижение СА при увеличении дозы от 100 до 200 кГр.

При непрерывном увеличении дозы от 200 до 1000 кГр дополнительное облучение, по-видимому, не влияет на CA. Результат является ожидаемым и согласуется с ИК-Фурье спектром, поскольку повышенное количество ОН в этой области близко. Одновременно происходит незначительная регенерация связи Si – OH ( b ). Обычно увеличение количества ОН может способствовать гидрофильности. Тем не менее, материал является гидрофильным, даже при сильном увеличении количества ОН СА не будет явно уменьшаться.Это нормальное явление. Например, радиационная прививка полиакриловой кислоты для увеличения гидрофильности поверхности полимера или УНТ после порогового значения CA будет увеличиваться или оставаться постоянной с увеличением степени прививки. Кроме того, разрушение листа тетраэдра может быть серьезным. В этом случае CA кажется постоянным или имеет небольшие вариации.

Наряду с химической структурой большое влияние на получаемую СА оказывает и макроморфология. Для гидрофильного материала согласно модели Венцеля, чем больше шероховатость, тем меньше CA.В этом случае, если бы на поверхности образца были бороздки или трещины, СА значительно уменьшилась бы. Его действие может превышать эффект, вызванный облучением. В этом случае все вышеупомянутые объяснения вариации химической структуры были бы неправильными. Исключить искусственный фактор необходимо. В b CA для образца, облученного 200 кГр, меньше по сравнению с образцом, облученным 100 кГр, и спинодаль существует при 100 кГр. Требует подтверждения, вызвано ли снижение CA для образца, облученного 200 кГр, искусственным фактором.Для сравнения также наблюдали нетронутые образцы и образцы, облученные 1000 кГр.

показывает SEM-изображения поверхности (а) нетронутых, (b) облученных 200 кГр и (c) облученных 1000 кГр образцов, соответственно. На всех образцах нет явных бороздок или трещин, видна гладкая поверхность. Это означает, что пленки, подготовленные для экспериментов с КА, были гладкими. Таким образом, мы можем исключить искусственный фактор на полученном КА. Другими словами, изменение CA не было вызвано приготовлением образца, а отражало изменение микроскопической структуры.Это означает, что причина снижения СА для образца, облученного 200 кГр, может быть связана с изменением химической структуры. В этом состоянии уместны объяснения вариации СА на микроструктуре. Кроме того, гладкая поверхность также указывает на то, что облучение γ -лучами не оказало очевидного влияния на макроскопическую морфологию мусковита. Это явление ожидаемо. В действительности, луч γ — это фотон высокой энергии, который почти не имеет массы по сравнению с атомом каркаса. В этом случае сложно вызвать смещение атома напрямую просто случайной ионизацией или мотивацией.Поскольку плотность фотона некомпактна, а столкновение между фотоном и атомом каркаса является случайным, эффект ЛПЭ невелик. В этом случае сложно вложить в микроячейку огромную энергию. Таким образом, теоретически трудно вызвать очевидные вариации в макроморфологии. Даже при облучении ионами ¹⁹⁷ Au (11,4 МэВ n ⁻¹ ) в течение нескольких минут, которое имеет интенсивный эффект ЛПЭ, изменение в направлении z составляет несколько нанометров для мусковита [7]. Для облучения γ -лучами при слабом эффекте ЛПЭ вариация будет меньше.В этом состоянии изменение может быть в масштабе Å. Этот крошечный масштаб, вероятно, превышает разрешение технологии SEM или AFM.

SEM-изображения поверхности ( a ) нетронутого, ( b ) облученного 200 кГр и ( c ) облученного 1000 кГр мусковита.

Для более четкого наблюдения морфологии были проведены эксперименты с АСМ. показывает АСМ изображения поверхности нетронутых и облученных образцов. Как правило, изменение в направлении z крошечное, как в нанометровом масштабе, что подразумевает плавность.Чтобы четко понять разницу в направлении z , случайным образом выбирается область, как показано зеленым цветом на изображении (). Затем отображается зависимость высоты в направлении z после обрезки от расстояния вдоль зеленой линии и отображается в. В моделях и диапазон изменения после обрезки для исходного образца близок к ± 2 нм, за исключением частичного сечения. В b – d диапазоны вариаций после выращивания для образцов, облученных 100 кГр, облученных 200 кГр и облученных 500 кГр, можно рассматривать как ± 0.7, ± 0,2 и ± 0,6 нм соответственно. В и диапазон вариаций после обрезки для образца, облученного 1000 кГс, близок к ± 1,5 нм. Для исходного образца ( a ) частичный разрез показывает большой диапазон вариаций. Вероятно, это связано с существующим дефектом, поскольку образец является натуральным и имеет форму листа. В этом случае на поверхности могут появиться неровности или углубления, возникшие в результате горных работ. Дополнительно пленка отслаивается случайным образом. Если образец содержит внутренние дефекты, частичные участки могут быть сломаны во время отслаивания. В этом случае могут наблюдаться частичные неровности или углубления. За исключением этой области, образец обычно гладкий с диапазоном изменения, близким к ± 2 нм в направлении z в выбранной части. Для образцов, облученных 100 кГр, облученных 200 кГр и облученных 500 кГр, диапазоны вариаций близки к ± 0,7, ± 0,2 и ± 0,6 нм. Они очень маленькие, кажутся гладкими. В действительности размер структуры T – O – T в направлении z близок к 1,2–1,5 нм, длина химической связи для ионной связи K – O или связи Si – O / Al – O составляет близко к 0.2 нм. Если рассматривать значение, особенно для образца, облученного 200 кГр, диапазон изменения близок к ± 0,2 нм, что близко к длине химической связи, такой как ионная связь K – O или связь Si – O. Обычно распределение межслоевого иона (например, K ⁺ ион) является случайным; в этом случае изменение направления z на атомном уровне может быть близко к 0,2 нм. В данной работе диапазон вариаций близок к этому масштабу. Это означает, что поверхность очень гладкая.

АСМ-изображения поверхности мусковита при облучении γ -лучами в диапазоне 0–1000 кГр.

Высота в направлении z после обрезки в зависимости от расстояния вдоль выбранной области для различных образцов.

Обычно для всех образцов диапазон изменения в направлении z после кадрирования составляет менее ± 2 нм. Диапазон крошечный. Обычно диапазон изменения, вызванный искусственным фактором, велик, и может быть в микрометрах или больше. Пытаться вызвать изменение в нанометровом масштабе с помощью искусственных технологий сложно. На самом деле, этот крошечный вариант требует специальных инструментов или технологий, которые следует обрабатывать точно, например, с помощью лазерного травления.Для образцов, очищенных вручную, это крошечное изменение можно выдержать. Как правило, это небольшое изменение указывает на гладкость образца, что дополнительно подтверждает результаты SEM.

Хотя образец гладкий, диапазон изменения исходного образца кажется больше, чем у других образцов. Это означает, что он кажется более грубым, чем другие образцы, поскольку шероховатость может быть описана диапазоном изменения в направлении z . Это может быть связано с подготовкой образцов или различиями. Для облученных образцов они кажутся более гладкими по сравнению с исходным образцом, особенно для образца, облученного 200 кГр.Это нельзя приписать облучению, так как трудно приготовить образец вручную с постоянной структурой поверхности. В то же время мы не можем гарантировать, что дефект на листе однородный. Кроме того, вариация, вызванная облучением в направлении z , будет очень крошечной, как видно из вышеупомянутых объяснений (часть SEM). Его изменение может быть покрыто подготовкой образца или различием. В этом случае явное различие шероховатости нельзя приписать процессу облучения.Если учесть, что исходный образец имеет наибольшую шероховатость, а все образцы имеют схожую химическую структуру поверхности, в этом случае облученные образцы должны иметь более крупные СА, особенно для образца, облученного 200 кГр, поскольку этот образец, по-видимому, имеет наименьшую шероховатость. Тем не менее, полученная CA противоречит этому ожиданию. У них есть близкие ЦС (). Это означает, что в химической структуре существовали большие различия. Другими словами, вариация СА была вызвана не различием морфологии поверхности, а вариацией химической структуры, что означает, что вышеупомянутый анализ химической структуры, вероятно, подходит.

Как правило, на основе анализа SEM и AFM можно сделать вывод, что вариация CA была связана с внутренней структурной разницей, а не с искусственным фактором. В действительности, многочисленные процедуры могут повлиять на гидрофильность поверхности, такие как разрыв каркаса, удаление или регенерация Si – OH и изменение шероховатости. Они могут показать влияние смещения на вариацию СА. Наконец, СА не изменялась линейно в зависимости от поглощенной дозы.

Обычно низкие дозы облучения значительно снижают гидрофильность, в то время как дополнительное облучение восстанавливается.Облучение практически не повлияло на морфологию поверхности.

3.5. Иллюстрация механизма

Из вышеупомянутого анализа кажется, что изменения в химической / кристаллической структуре и гидрофильности поверхности зависят от дозы, а мусковит чувствителен к облучению малыми дозами, а не к высоким. Основные причины объяснялись в общем. Основные механизмы будут проиллюстрированы ниже, чтобы иметь четкое представление. По-видимому, основными механизмами являются разрывы каркаса и радиолиз H ₂ O.После облучения произошли разрывы химических связей в листе тетраэдра TO ₄ (например, Si – OH) и связи между листами тетраэдра и октаэдра. Одновременно с этим в процессе радиолиза происходит частичный H ₂ O с образованием радикалов H • или HO •. Эти радикалы являются реакционно-активными, реагируя с каркасом (например, связью между листами тетраэдра и октаэдра или разорванными связями Si – O), что приводит к дополнительному введению ОН. В процессе облучения эти процедуры происходили синхронно.При малых дозах деструкция кажется преобладающей. В этом случае связь Si – OH была удалена, и гидрофильность поверхности снизилась. При высоких дозах радиолиз H ₂ O кажется преобладающим. В этом случае количество H ₂ O уменьшилось, была введена дополнительная связь Al – OH, связь Si – OH была регенерирована, и гидрофильность поверхности восстановилась. Кроме того, частичный ОН может образовывать водородные связи, что приводит к сжатию плоскости решетки. Чтобы описать эту процедуру более четко, будут использоваться несколько уравнений, как указано ниже, и схема будет отображаться в.Где ≡Si (Al) –O – Al – O – Si (Al) ≡ представляет структуру T – O – T в направлении z , поскольку межслоевое пространство d в основном отражает масштаб Si (Al) — Связь O – Al – O – Si (Al) в направлении z , ≡Si (Al) –O – Si (Al) ≡ представляет собой тетраэдрический лист TO ₄ , ≡Si – OH представляет собой поверхность Si– Структура ОН и ≡Si (Al) –O – Al – OH представляет собой связь Al – OH в листе октаэдра. Элемент Al, записанный в тетраэдре, объясняется тем, что четверть тетраэдрического Si заменена на Al.В действительности мы не можем быть уверены, произошли ли разрывы в связях Si – O – Si или Si – O – Al в листе тетраэдра.

Схема трансформации структуры в слоистой структуре мусковита в направлении z при облучении γ -лучами; d ₀ , межслоевое пространство для исходного образца; d ₁ , межслоевое пространство для образца после облучения.

Уравнения (3.1) — (3.6) являются реакциями, вероятно, первоначально вызванными облучением γ -лучами.

≡Si – OH → ≡Si⋅ + HO⋅

3,1

≡Si (Al) –O – Si (Al) ≡ → ≡Si (Al) ⋅ + ⋅O – Si (Al) ≡

3,2

≡Si (Al) –O – Al – O – Si (Al) ≡ → ≡Si (Al) ⋅ + ⋅O – Al – O – Si (Al) ≡

3,3

≡Si (Al) — O – Al – O – Si (Al) ≡ → ≡Si (Al) –O⋅ + ⋅Al – O – Si (Al) ≡

3,4

≡Si (Al) –O – Al – OH → ≡Si (Al) –O – Al⋅ + HO⋅

3. 5

и

Уравнения (3.7) — (3.10) являются реакциями, вероятно, между продуктами радиолиза.

≡Si (Al) ⋅ + HO⋅ → ≡Si (Al) -OH

3,7

≡Si (Al) –O⋅ + H⋅ → ≡Si (Al) –OH

3.8

H⋅ + ⋅O – Al – O – Si (Al) ≡ → HO – Al – O – Si (Al) ≡

3.9

и

HO⋅ + ⋅Al – O – Si (Al) ≡ → HO – Al – O – Si (Al) ≡

3.10

Как правило, уравнения (3.1) и (3.2) описывают удаление связи Si – OH и разрушение тетраэдра, демонстрируя снижение гидрофильности при низких дозах. Уравнения (3.3) и (3.4) описывают разрыв связи между листами тетраэдра и октаэдра. Уравнение (3.5) описывает вторичное дегидроксилирование. Уравнение (3.6) описывает радиолиз H ₂ O.Уравнения (3.7) — (3.10) описывают введение ОН, где уравнения (3.7) и (3.8) описывают регенерацию связи Si – OH, вероятно, иллюстрируя восстановление гидрофильности за счет дополнительного облучения; Уравнения (3.9) и (3.10) описывают введение ОН в лист октаэдра, вероятно, иллюстрируя сжатие плоскости решетки. Хотя уравнение (3.5) является вторичным, эта реакция, вероятно, иллюстрирует восстановление плоскости решетки при 1000 кГр для разрушения ОН.

Мусковитовая слюда — минеральные и лечебные свойства

Химический состав: KAl2 (AlSi3O10) (F, OH) 2, фторид гидроксида силиката алюминия калия.

Класс: Силикаты

Подкласс: Филосиликаты

Группа: Слюды

Использует: тепло- и электрический изолятор для промышленных целей.

НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ, чтобы приобрести продукцию Kidz Rocks Mica.

• Московский полевой шпат
• Москвич Слюда
• Москвич Слюда

Мусковит является обычным породообразующим минералом и встречается в магматических, метаморфических и обломочных осадочных породах.Мусковит имеет слоистую структуру из листов силиката алюминия, слабо связанных между собой слоями ионов калия. Эти слои ионов калия образуют идеальный раскол мусковита. Несмотря на то, что у него такое легкое расщепление, листы спайности довольно прочны и часто встречаются в песках, которые подверглись значительной эрозии и переносу, который разрушил бы большинство других минералов. Листы мусковита также обладают высокими тепло- и электроизоляционными свойствами и используются для изготовления многих электрических компонентов.Листы москвича использовались для окон кухонных духовок, прежде чем синтетические материалы заменили их.

Мусковит не так ценен как образец минерала, но часто ассоциируется с другими минералами необычайной красоты и ценности. Некоторые очень красивые кристаллы мусковита сопровождают такие ценные минералы, как турмалин, топаз, берилл, альмандин и другие. Редкий сорт-близнец из Бразилии образует желтые пятиконечные звезды и называется «Звездный москвич». Сорт темно-зеленого цвета называется фукситом и окрашен примесями хрома.

Происхождение имени

Название «Москвич» происходит от английских слов «Московское стекло», которые являются названием используемого в России типа стекла, которое изготавливается из московитской слюды.

Интересные факты

Москвич получил свое название от Московского государства в России, где этот минерал использовался в качестве заменителя стекла в 14 веке. Москвич раньше назывался изинглассом, и его использовали в печах, чтобы вы могли смотреть сквозь печь, как сегодня закаленное стекло.Москвич шлифуют и сегодня используют для придания обоям блеска, а также для макияжа глаз и блеска.

Где это находится

Мусковит — наиболее распространенная слюда, обнаруживаемая в гранитах, пегматитах, гнейсах и сланцах, а также как контактная метаморфическая порода или как вторичный минерал, возникающий в результате изменения топаза, полевого шпата, кианита и т. Д. В пегматитах он часто встречается в огромных листах, имеющих коммерческую ценность.

Заметные случаи появления включают Индию, Пакистан, Бразилию и многие населенные пункты США.

Что нам с ним делать

Его первое известное использование было в России в качестве стакана. Его использовали как стекло из-за его прозрачных слоев, которые отслаиваются тонкими листами. Он также использовался в дверях печей. Москвич востребован для изготовления огнезащитных и изоляционных материалов и в некоторой степени как смазка. Москвич измельчают и смешивают с красками, чтобы придать им блеск. Он также обладает электрическими и термостойкими свойствами, что делает его хорошим средством для изоляции электрических компонентов.Он также измельчается в красках, используется в качестве цемента для швов, присыпки, в растворах для бурения скважин, а также в пластмассах, кровле, резине и сварочных стержнях.

Метафизическое использование

Мусковит — член группы слюд, важный компонент гранита и некоторых сланцев. По составу эти минералы представляют собой водный силикат алюминия-калия с блеском от прозрачного до жемчужного. Мусковит представляет собой таблитчатые, обычно двойниковые псевдогексагональные кристаллы, часто с глубокими бороздками на гранях призм. Он также встречается в виде слоистых чешуйчатых пластинчатых масс. Москвич бывает розовым, бесцветным, серебристо-белым, желтоватым, зеленоватым с перламутровым блеском на гранях спайности. Часто имеет блестящий вид. За серебристый блеск москвич иногда называют кошачьим серебром.

Москвич отлично подходит для вдохновляющих размышлений и самооценки. Он позволяет вам объективно и без страха размышлять о прошлом и о себе. Это также может помочь в очищении ауры и разблокировании психических каналов. Москвич поощряет ясность в видениях и саморефлексию.Его можно использовать во время очищения или голодания, чтобы помочь уменьшить муки голода, обеспечить энергию, уменьшить обезвоживание и дать общий импульс. Он может помочь людям, страдающим бессонницей, ночной потливостью, кошмарами, синдромом беспокойных ног и апноэ во сне.

Физические характеристики

Цвет: Белый, серебристый, желтый, зеленый и коричневый.

Блеск: Стекловидный до жемчужного.

Прозрачность: Кристаллы от прозрачных до полупрозрачных.

Кристальная система: Моноклинная; 2 / м

Повадки кристаллов: Табличные кристаллы с выступающим пинакоидным окончанием. У москвичей четыре грани призмы образуют ромбовидные «книги», а при модификации другим пинакоидом — псевдошестиугольные кристаллические «книги». Стороны кристалла часто имеют тенденцию к постукиванию. Также как пластинчатые породы, образующие массы и мелкие хлопья в обломочном материале. Двойники кристаллов могут образовывать плоские пятиконечные звезды.

Раскол: Идеально подходит в одном направлении, образуя тонкие листы или хлопья.

Излом: Не сразу наблюдается из-за раскола, но неровный.

Твердость: 2 — 2,5

Удельный вес: Приблизительно 2,8 (средний)

Полоса: Белый

Сопутствующие минералы: Кварц, полевой шпат, берилл и турмалины.

Другие характеристики: Листы расщепления гибкие и эластичные, что означает, что их можно согнуть и они вернутся к исходной форме.

Индикаторы наилучшего поля: Форма кристаллов, спайность, эластичные листы, цвет и ассоциации.

Обучающие видео

Аквамарин с Москвичом, Пакистан

Московский лист

московских приданых и имущественных прав женщин на JSTOR

Русское обозрение — многопрофильный научный журнал, посвященный
истории, литературе, культуре, изобразительному искусству, кино, обществу и политике
народов бывшей Российской империи и бывшего Советского Союза.Каждый выпуск
содержит оригинальные исследовательские статьи авторитетных и начинающих ученых, а также
а также обзоры широкого круга новых публикаций.

«Русское обозрение», основанное в 1941 году, — летопись.
продолжающейся эволюции области русских / советских исследований на Севере
Америка. Его статьи демонстрируют меняющееся понимание России через
взлет и закат холодной войны и окончательный крах Советского Союза
Союз.

Русское обозрение — независимый журнал, не связанный
с любой национальной, политической или профессиональной ассоциацией.JSTOR предоставляет цифровой архив печатной версии The Russian
Рассмотрение. Электронная версия Русского обозрения
доступно на http://www.interscience.wiley.com.
Авторизованные пользователи могут иметь доступ к полному тексту статей на этом сайте.

Wiley — глобальный поставщик контента и решений для рабочих процессов с поддержкой контента в областях научных, технических, медицинских и научных исследований; профессиональное развитие; и образование. Наши основные предприятия выпускают научные, технические, медицинские и научные журналы, справочники, книги, услуги баз данных и рекламу; профессиональные книги, продукты по подписке, услуги по сертификации и обучению и онлайн-приложения; образовательный контент и услуги, включая интегрированные онлайн-ресурсы для преподавания и обучения для студентов и аспирантов, а также для учащихся на протяжении всей жизни. Основанная в 1807 году компания John Wiley & Sons, Inc. уже более 200 лет является ценным источником информации и понимания, помогая людям во всем мире удовлетворять свои потребности и воплощать в жизнь их чаяния. Wiley опубликовал работы более 450 лауреатов Нобелевской премии во всех категориях: литература, экономика, физиология и медицина, физика, химия и мир.

Wiley поддерживает партнерские отношения со многими ведущими мировыми обществами и ежегодно издает более 1500 рецензируемых журналов и более 1500 новых книг в печатном виде и в Интернете, а также базы данных, основные справочные материалы и лабораторные протоколы по предметам STMS.Благодаря растущему предложению открытого доступа, Wiley стремится к максимально широкому распространению и доступу к публикуемому нами контенту и поддерживает все устойчивые модели доступа. Наша онлайн-платформа, Wiley Online Library (wileyonlinelibrary.com), является одной из самых обширных в мире междисциплинарных коллекций онлайн-ресурсов, охватывающих жизнь, здоровье, социальные и физические науки и гуманитарные науки.

Слюда Номер CAS: 12001-26-2

Слюда 1 доллар США.00 / КГ 2020-01-03 CAS: 12001-26-2 Мин. Заказ: 1 кг Чистота: 99% Возможность поставки: 10000 кг

914 9109 914 910 -648-2 Наименование продукта: Mica Синонимы: POTASSIUM MICA; MUSCOVITE; MoscovitepotassiumMICA; MICA, WATERGROUND; MUSCOVITEMICA; C. I. 77019; слюда; мусковитовый калий CAS: 12001-26-2 MF: Al2K2O6Si MW: EC MW: Категории продуктов: белки; UVCBs-неорганические Mol Файл: 12001-26-2.mol плотность 2,77 г / см 3 показатель преломления 1.55-1.61 RTECS VV876000 форма От светло-серого до темного цвета хлопья или частицы Растворимость в воде Нерастворим в воде. Система регистрации веществ EPA Минералы группы слюд (12001-26-2) Провайдер Язык Слюда Английский АЛЬФА Английский Химические свойства Мягкое полупрозрачное твердое вещество; от бесцветного до светло-красного (рубиновый), от коричневого до зеленовато-желтого (янтарный).Негорючие. Теплостойкость до 600С. Химические свойства Слюда (мусковит), имеет форму бесцветного, твердое вещество без запаха, которое расслаивается на хлопья или тонкие листы гидросиликатов. Встречаемость Слюда существует в природе в широком разнообразии составов. Мусковит и флогопит — единственные природные слюды, имеющие промышленное значение. Вермикулит, хотя и не считается истинной слюдой большинством минералогов, представляет собой слюдистый минерал, образовавшийся в результате выветривания флогопита или биотита и также имеющий промышленное значение. Использует Слюда — это общий термин, который применяется к широкому спектру водных минералов силиката алюминия, характеризующихся листовой или растительной структурой и обладающих в различной степени, в зависимости от состава и погодных условий, гибкостью, эластичностью, твердостью, и возможность разделения на тонкие (1 мкм) листы. Использует слюда используется в качестве текстуризатора и окрашивающего агента в косметике, она обеспечивает «мерцание» или «мерцание» пудры для макияжа. Слюда — это групповое название серии измельченных силикатных минералов с похожими физическими свойствами, но различным химическим составом. Цвет слюды варьируется от бесцветного до бледно-зеленого, коричневого или черного. Использует Электрооборудование, вакуумные лампы, лампы накаливания, присыпка, смазка, окна в высокотемпературном оборудовании, наполнитель для наружных красок, косметика, флюс для стекла и керамики, кровля, резина, смазка для форм, специальность бумага для изоляции и фильтрации, цементация обоев и стеновых панелей, буровые растворы для нефтяных скважин. Определение Член важного группа алюмосиликатных минералов, имеют характерную слоистую структуру. В три основных типа: биотит, лепидолит и мусковит, которые различаются по содержанию другие элементы (например, калий, магний, и железо). Хлопья слюды используются как электрические изоляторы, диэлектрики и малогабаритные теплоизоляционные окна. Определение слюда: Любой из силикатных минералов со слоистой структурой.Слюды состоят из связанных тетраэдров SiO 4 с катионами и гидроксильными группами между слоями. Общая формула: X 2 Y 4-6 Z 8 O 20 (OH, F) 4 , где X = K, Na, Ca; Y = Al, Mg, Fe, Li; и Z = Si, Al. Три основных минерала слюды: мусковит, K 2 Al 4 (Si 6 Al 2 O 20 ) (OH, F) 4 ; биотит, K 2 (Mg, Fe 2+ ) 6-4 (Fe 3+ , Al, Ti) 0-2 — (Si 6-5 Al 2-3 O 20 ) (OH, F) 4 ; лепидолит, K 2 (Li, Al) 5-6 (Si 6-7 Al 2-1 O 20 ) — (OH, F) 4 . Слюды имеют идеальное базальное декольте, а тонкие чешуйки декольте гибкие и эластичные. Чешуйки слюды используются в качестве изоляторов и диэлектриков в конденсаторах. Определение Любой из нескольких силикатов различного химического состава, но с аналогичными физическими свойствами и кристаллической структурой. Все характерно раскалывается на тонкие листы, которые являются гибкими и эластичными. Доступна синтетическая слюда. По своим электрическим и механическим свойствам он превосходит природную слюду; это также без воды. Способы производства Слюда — это неволокнистый природный силикат, находящийся в форме пластин в девять разных видов. Эти материалы представляют собой водные силикаты, и преобладающими полезными ископаемыми являются мусковит, водный алюмосиликат, и флогофит, силикат магния. Листовые формы слюды в виде мусковита исторически добывались вручную из пегматиты. Общее описание MICA, общий термин, относится к любой из группы, состоящей примерно из 30 силикатных минералов, встречающихся в виде неволокнистых пластин. Мусковит (гидратированный силикат алюминия-калия [KAl2 (AlSi3O10) (F, OH) 2]) и флогопит (гидроксид силиката алюминия-магния-калия) — две основные слюды, которые используются в торговле. Слюды обычно встречаются в обычных породах. Вдыхание слюдяной пыли представляет собой профессиональную опасность. Профиль реакционной способности MICAS обычно имеют низкую химическую активность. Опасность (пыль) Раздражает при вдыхании, может вызвать повреждение легких. Пневмокониоз. Опасность для здоровья Причины возникновения слюдяной пыли пневмокониоз. Использование в сельском хозяйстве Биотит является широко распространенным и важным горно-формовочным материалом. минерал группы слюд. Общий термин обозначает все ферромагниевые слюды, также называемые черными слюда или магниево-железная слюда. Этот черный и пластинчатый минерал содержится в некоторых магматических породах, например в граните. Это тетраэдрическая слюда с заменой алюминия на кремний в тетраэдрическом листе и железо (Fe 2+ ) или магний (Mg 2+ ) ионы в октаэдрическом листе. Высвобождение калия происходит легче с биотитом, чем с мусковитом. Биотит используется как источник почвенного калия. Легче переносится хлорит, чем мусковит, и поэтому встречается реже в отложения. Хотя коммерчески неважно при гидротермальных условиях биотит переходит в вермикулит, расширяющийся при нагревании и имеющий широкое применение в качестве легкого бетона, штукатурки заполнитель, изоляция, среда для выращивания растений и смазка. Промышленное использование Коммерческая слюда бывает двух основных типов: листовая и лом или хлопья.Листовой мусковит используется в качестве диэлектрика в конденсаторах и электронных лампах. Низкокачественный мусковит используется в качестве изолятора в домашних электротехнических изделиях, таких как плиты, тостеры и утюги. Лом и хлопья слюды измельчаются для использования в покрытиях на кровельных материалах и водонепроницаемых тканях, а также в красках, обоях, цементе для швов, пластиках, косметике, продуктах для бурения скважин и различных сельскохозяйственных продуктах. Используется во всех типах электрических и электронных систем, где требования к изоляции предпочтительно включают низкий коэффициент рассеяния на высоких частотах, высокое сопротивление изоляции и сопротивление диэлектрическому пробою, а также исключительную стабильность размеров.Стекло-скрепленные марки производятся как в обрабатываемых, так и в прецизионных сортах. В основном, материал состоит из чешуек натуральной слюды, склеенных с помощью электрического стекла с низкими потерями. Появление синтетической слюды привело к разработке так называемых керамопластов, состоящих из высокотемпературного электростекла, наполненного синтетической слюдой. Керамопласты обеспечивают повышение электрических характеристик по сравнению с природной слюдой, кроме того, они легче формуются и обладают большей термической стабильностью. Профиль безопасности Пыль опасна для легкие. Возможное воздействие Слюда используется в качестве армирующего наполнителя для пластмассы, заменители асбеста; для изоляции в электрических оборудование; используется при изготовлении кровельной черепицы, обои и краска. Несовместимость Силикаты реагируют с литием. Удаление отходов Рассмотрите возможность переработки, в противном случае, это химическое вещество необходимо утилизировать в соответствии с действующими федеральные и местные правила.Свалка. Продукты и сырье для получения слюды

От ближайшего к дистанционному зондированию: анализ пирофиллит-мусковитовой ассоциации в районе Бакскин, округ Йерингтон, Невада (США)

Портела, Бруно ¹ ; Сепп, Майкл Д. ² ; ван Руйтенбек, Франк Дж. А. ¹ ; Хеккер, Кристоф ¹ ; Диллес, Джон Х. ²

¹ Кафедра анализа земных систем, Факультет геоинформатики и наблюдения Земли (ITC), Университет Твенте, 7514 AE Enschede, Нидерланды. ² Колледж наук о Земле, океане и атмосфере, Университет штата Орегон, 104 CEOAS Admin. Bldg., Corvallis, Oregon 97331, Соединенные Штаты Америки.

Гидротермальные месторождения полезных ископаемых, такие как скарны, порфиры, эпитермальные системы и системы SEDEX, являются основным источником полезных ископаемых мирового значения, таких как медь, золото и серебро.Эти типы месторождений полезных ископаемых были предметом многочисленных исследований на протяжении многих лет с использованием различных подходов, включая гиперспектральное проксимальное и дистанционное зондирование. Поскольку минералы гидротермальных изменений активны, среди прочего, в видимом и инфракрасном диапазоне, анализ спектральных характеристик поглощения может быть использован для определения минералогии, связанной с различными событиями гидротермальных изменений. Некоторые события изменения ответственны за минерализацию, в то время как другие события не создают каких-либо экономических концентраций драгоценных элементов.Поэтому важно разработать стратегию быстрого выявления и картирования индикаторных минералов, связанных с минерализацией.

Это исследование объединило коротковолновое инфракрасное (SWIR) проксимальное (гиперспектральное изображение SisuCHEMA) и дистанционное (датчик ProSpecTIR-VS) изображения зондирования, чтобы изучить, как различить интимные срастания пирофиллита и мусковита, которые связаны с различными событиями изменения в эпитермальных системах золота. Основная цель этого исследования состояла в том, чтобы охарактеризовать возникновение замещающих текстур путем комбинирования карт длин волн и спектрального индекса.В качестве испытательного полигона был выбран хребет Бакскин в районе Йерингтон, штат Невада (США), эпитермальная система с высоким уровнем сульфидирования.

Результаты аэрофотоснимков показали закономерности зонирования от внутренней зоны алунит-пирофиллит к окружающей области, в которой преобладает мусковит с разной длиной волны положения его абсорбционной характеристики Al-OH. Лабораторные данные улучшили характеристику минералогии гидротермальных изменений, которая включала алунит, пирофиллит, мусковит, диккит, хлорит, топаз и зунит.Пространственное распределение пирофиллит-мусковитовой ассоциации и, как следствие, текстурные взаимоотношения двух минералов были решены путем разработки нового спектрального индекса, пирофиллит-мусковитового индекса (PMI). Были охарактеризованы проникающие и контролируемые прожилками текстуры, и был обнаружен небольшой сдвиг в положении длины волны характеристики поглощения Al-OH мусковита с 2189 до 2195 нм. Хотя сдвиг не был прямым признаком замещения, предполагалось срастание листов пирофиллита и мусковита.Затем были рассмотрены временные отношения двух минералов: сначала путем интерпретации текстуры изменений; во-вторых, с помощью изображений в отраженных электронах (BSE), подтверждающих замену пирофиллита мусковитом.

Связь пространственного распределения с текстурными отношениями пирофиллит-мусковитовой ассоциации позволила реконструировать химический состав флюидов и пути флюидов, связанные с этим сценарием. Высокотемпературный магматически-гидротермальный флюид на ранней стадии с низким pH, характеризующийся присутствием алунита-пирофиллита, ответственного за интенсивное кислотное выщелачивание и, как следствие, образование проницаемых зон в литокапе.Эти проницаемые зоны работали как каналы (питатели) для размещения флюида поздней стадии с почти нейтральным pH и более низкой соленостью, характеризующимся присутствием мусковита от короткого до длинноволнового диапазона. Таким образом, это исследование ясно демонстрирует важность описания и отображения замещающих текстур в различных масштабах, чтобы помочь в восстановлении размещения и состава флюидов. Таким образом, это способствует лучшему пониманию эпитермальной системы с высоким уровнем сульфидирования и лучшему определению целевых районов для последующих исследований разведки полезных ископаемых.

Биография

Бруно Портела имеет степень бакалавра геологии Университета Сан-Паулу (Бразилия) и степень магистра прикладного дистанционного зондирования в области наук о Земле Университета Твенте, Нидерланды. До получения степени магистра в течение четырех лет он работал на различных должностях в компании BHP на руднике Эскондида (Чили).

ключевых работников Москвы регистрируются на прививки от COVID-19 российского производства

Мария Васильева, Александр Марроу

МОСКВА (Рейтер) — Москвичи из групп высокого риска, такие как медицинские работники, начали регистрироваться на прививки от COVID российского производства -19 в пятницу, через два дня после того, как президент Владимир Путин призвал к масштабной вакцинации.

ФОТО ФАЙЛА: Медработники в средствах индивидуальной защиты (СИЗ) толкают носилки во время транспортировки пациента в больницу во время вспышки коронавирусной болезни (COVID-19) в Омске, Россия, 28 октября 2020 г. REUTERS / Алексей Мальгавко

Sputnik V , одна из двух вакцин российского производства, получивших одобрение регулирующих органов в России, несмотря на то, что клинические испытания еще не завершены, требует двух инъекций. Промежуточные испытания показали, что он на 92% эффективен в защите людей от COVID-19.

Массовые испытания второй российской вакцины EpiVacCorona начались в понедельник.

Служба онлайн-регистрации позволяет жителям Москвы в возрасте от 18 до 60 лет, занимающим определенные рабочие места с повышенным риском, записываться на бесплатные прививки в 70 точках города, начиная с субботы, говорится на сайте мэрии.

«За первые пять часов на укол записались 5000 человек — учителя, врачи, социальные работники, те, кто сегодня больше всего рискует своим здоровьем и жизнью», — написал на своем личном сайте мэр Сергей Собянин.

«Для остальных москвичей бесплатная вакцинация станет доступна позже», — говорится на сайте.

Население Москвы составляет почти 13 миллионов человек.

Кирилл Дмитриев, глава государственного фонда благосостояния страны, который поддерживает разработку и маркетинг Sputnik V, сообщил BBC в пятницу, что Россия планирует вакцинировать около двух миллионов человек в декабре.

ПРОБЛЕМЫ

Ученые выразили озабоченность по поводу скорости, с которой работает Москва, давая разрешение регулирующим органам на вакцины и запуская массовые вакцинации до того, как будут завершены полномасштабные испытания для проверки их безопасности и эффективности.

Россия согласовала сделки по производству и поставкам с рядом зарубежных стран, но Европейский Союз выразил обеспокоенность, когда Венгрия заявила, что планирует импортировать и, возможно, использовать Sputnik V, поскольку вакцина не была рассмотрена Европейским агентством по лекарственным средствам.

Великобритания готовится в ближайшие дни запустить собственную программу массовых прививок, став первой страной в мире, одобрившей вакцину COVID-19 от Pfizer Inc.

Россия в настоящее время разрабатывает 10 вакцин, сообщило в четверг информационное агентство ТАСС Анна Попова, глава службы по надзору за здоровьем потребителей Роспотребнадзора.

По словам властей, решение об участии в испытаниях вакцины в России является добровольным, но некоторые работники государственного сектора заявили Рейтер о необходимости принять участие.

Мнения москвичей по поводу новой вакцинации были неоднозначными.

«Мне это нравится, потому что это шанс переломить ситуацию, снизить уровень заражения», — сказал один из жителей, Игорь Кривобоков.

Другие были настроены более скептически.

«Этот процесс займет много времени. Изготовлено небольшое количество вакцины », — сказал Сергей Гришин, добавив, что сам не планировал делать укол.

На сегодняшний день в России зарегистрировано 2 402 949 случаев заражения COVID-19, занимая четвертое место в мире после США, Индии и Бразилии. Подтверждено 42 176 смертей.

Россия сообщила о 27 403 новых случаях коронавируса в пятницу, но сопротивлялась введению ограничений во время второй волны вируса, предпочитая целевые региональные ограничения, чтобы смягчить воздействие на ее находящуюся в трудном положении экономику.

Репортаж Марии Васильевой; дополнительные репортажи Александра Решетникова, Антона Колодяжного и Глеба Столярова; Написано Александром Марроу; Под редакцией Кати Голубковой, Тимоти Херитэдж и Гарета Джонса

Микроструктура и устойчивость к окислению мусковит-стеклянных фритт, загруженных высококремнеземистой тканью / борсодержащими керамическими композитами на основе фенолформальдегидной смолы

[1]
FANZhenxiang. , & CHENGHaifeng. (2005). Разработка теплозащитных материалов. Обзор материалов, 19, 13-16.

[2]
Т.Р. Кромптон. (2010). Термоокислительная деструкция полимеров. Lightning Source Inc.

[3]
Л. Г. Хану. И Г.П. Саймон. (2006). Термостойкость и горючесть силиконовых полимерных композитов. Разложение и стабильность полимера, 91, 1373-1379.

DOI: 10.1016 / j.polymdegradstab.2005.07.021

[4]
Л.Г. Хану. И Г.П. Саймон. (2005). Преимущественная ориентация мусковита в керамических силиконовых композитах. Материаловедение и инженерия а, 398, 180-187.

DOI: 10. 1016 / j.msea.2005.03.022

[5]
Дж.Mansouri. И R.P. Берфорд. (2006). Пиролизные свойства керамифицирующих композитов на основе силикона. Материаловедение и инженерия а, 425, 7-14.

DOI: 10.1016 / j.msea.2006.03.047

[6]
Римантас ЛЕВИНСКАС. , & Ромуальдас КЕЗЕЛИС. (2011). Высокотемпературная абляция композитного материала под действием плазменной струи. Материаловедение, Vol. 17, № 4, ISSN 1392-1320.

DOI: 10.5755 / j01.ms.17.4.781

[7]
С.М. Бхуванесвари. И С.Д. Какаде. (2008). Этилен-пропилендиеновый терполимерный эластомер с наполнителем в качестве теплоизолятора для твердотельных коромысел. Журнал оборонной науки, Vol. 58, № 1, 94-102.

DOI: 10. 14429 / dsj.58.1628

[8]
Чон-Хе Ём., & Янг-Ук Ким. (2010). Влияние добавок на механические свойства макропористой керамики карбида кремния. Met & Mater, Vol. 16, № 3, 399-405.

DOI: 10.1007 / s12540-010-0609-3

[9]
Жилберто Петракони. , & Choyu Otani. (2010). Разложение углеродных материалов в абляционных условиях, вызванных струей высокоэнтальпийной плазмы. Журнал аэрокосмических технологий и менеджмента, 33-40.

DOI: 10.5028 / jatm.2010.02013340

[10]
Цянь-ган ФУ., & Хуэй СЮЭ. (2010). Антиокислительные свойства многослойного покрытия углерод / углеродные композиты в аэродинамической трубе при 1500 ℃. Новые углеродные материалы, 25, 279-284.

DOI: 10. 1016 / s1872-5805 (09) 60033-0

[11]
Цзиган Ван., & Нан Цзян. (2006). Исследование эволюции структуры клея на основе модифицированной фенолоформальдегидной смолы для высокотемпературного склеивания графита. Журнал ядерных материалов, 348, 108-113.

DOI: 10.1016 / j.jnucmat.2005.09.008

[12]
Кимберли А. Уловка. & Тони Э. Салиба. (1995). Механизмы пиролиза фенольной смолы в углеродно-фенольном композите. Углерод, Vol. 33, № 11, 1509-1515.

DOI: 10.1016 / 0008-6223 (95) 00092-r

[13]
Р.Пайллер и Р. Наслен. (2002). Повышение стойкости к окислению межфазной поверхности в композитах C / C. Журнал Европейского керамического общества 22, 1011-1021.

[14]
Мохамед О. Абдалла и Адриан Людвик. (2003). Модифицированные бором фенольные смолы для высокопроизводительных применений. Полимер, 44, 7353-7359.

DOI: 10.1016 / j.polymer.2003.09.019

[15]
С.Labruquere., & H. Бланшар. (2002). Повышение стойкости к окислению межфазной поверхности в композитах C / C. Журнал Европейского керамического общества22, 1001–1009.

.